🗊Презентация Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №1Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №2Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №3Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №4Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №5Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №6Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №7
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы. Доклад-сообщение содержит 7 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Методы создания p-n-переходов
Описание слайда:
Методы создания p-n-переходов

Слайд 2


Точечные переходы
Описание слайда:
Точечные переходы

Слайд 3


Сплавные переходы
Описание слайда:
Сплавные переходы

Слайд 4


Фотолитография
Описание слайда:
Фотолитография

Слайд 5


Диффузионные переходы
Описание слайда:
Диффузионные переходы

Слайд 6


Эпитаксиальные переходы
Описание слайда:
Эпитаксиальные переходы

Слайд 7


Ионное легирование Ионное легирование (имплантация) - способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твердости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).
Описание слайда:
Ионное легирование Ионное легирование (имплантация) - способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твердости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию