Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №1

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №2

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №3

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №4

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №5

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №6

Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы, слайд №7

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Методы создания p-n-переходов. Точечные переходы. Доклад-сообщение содержит 7 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Методы создания p-n-переходов

Слайд 2

Описание слайда:

Точечные переходы

Слайд 3

Описание слайда:

Сплавные переходы

Слайд 4

Описание слайда:

Фотолитография

Слайд 5

Описание слайда:

Диффузионные переходы

Слайд 6

Описание слайда:

Эпитаксиальные переходы

Слайд 7

Описание слайда:

Ионное легирование Ионное легирование (имплантация) - способ введения атомов примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 КэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твердости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.).