Оценка концентрации тепловых дефектов - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №1

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №2

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №3

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №4

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №5

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №6

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №7

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №8

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №9

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №10

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №11

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №12

Оценка концентрации тепловых дефектов, слайд №13

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Оценка концентрации тепловых дефектов. Доклад-сообщение содержит 13 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Оценка концентрации тепловых дефектов для расчета концентрации тепловых дефектов в кристалле необходимо знать: Механизм дефектообразования Теплоту образования дефектов Колебательную энтропию дефектообразования

Слайд 2

Описание слайда:

Квазихимические реакции образования дефектов Образование тепловых дефектов по Шоттки можно представить в виде двух последовательных процессов Разрыв связей частицы в объеме кристалла и ее удаление в бесконечность Конденсация удаленных частиц на поверхности кристалла

Слайд 3

Описание слайда:

Квазихимические реакции образования дефектов Запишем эти процессы в виде гетерофазных реакций (AB)N=AN-1BN-1+VA+VB+AV+BV+H1 N – общее число частиц в каждой подрешетке кристалла VA и VB – вакансии в катионной и анионной подрешетках H1 – энтальпия процесса AN-1BN-1+AV+BV=(AB)N – H2 H2 – энтальпия конденсации обеих частиц на поверхности кристалла

Слайд 4

Описание слайда:

Квазихимические реакции образования дефектов Суммируем эти две реакции по правилам суммирования химических реакции (AB)N=AN-1BN-1+VA+VB+AV+BV+H1 AN-1BN-1+AV+BV=(AB)N – H2 (AB)N + AN-1BN-1+AV+BV=(AB)N + AN-1BN-1+VA+VB+AV+BV+H1– H2 После приведения подобных членов имеет 0=VA+VB+H1– H2 Т.е. энтальпия образования пары тепловых дефектов Hдеф. =H1– H2

Слайд 5

Описание слайда:

Энтальпия реакции образования дефектов Запишем уравнение для конденсации в обратном порядке (AB)N =AN-1BN-1+AV+BV+ H2 В этом случае описывается процесс испарения с поверхности без образования вакансий в кристаллах. У поверхностных частиц оборвано приблизительно половина связей по сравнению с частицами в объеме H2. 0,5 H1 Т.е. энтальпия образования пары тепловых дефектов Hдеф. = 2H2– H2 = H2

Слайд 6

Описание слайда:

Экпериментальные методы оценки концентрации тепловых дефектов

Слайд 7

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов

Слайд 8

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов Увеличение объема кристалла при нагреве идеального кубического кристалла определяется выражением

Слайд 9

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов Допустим, что мы имеем дело с объемно-центированным кубическим кристаллом

Слайд 10

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов Относительное уменьшение объема кристалла за счет сжатия при образовании вакансии определяется выражением

Слайд 11

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов Относительное увеличение объема кристалла за счет достраивания поверхности частицами из вакантных узлов определяется выражением

Слайд 12

Описание слайда:

Дилатометрический метод оценки концентрации тепловых дефектов Подставим в уравнение для относительное увеличение объема кристалла выражение для коэффициента сжатия f

Слайд 13

Описание слайда:

Сравнение гидростатической и рентгенографической плотностей В кристалле с вакансиями реал< идеал В кристалле с междоузельными частицами реал> идеал