Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №1

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №2

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №3

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №4

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №5

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №6

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №7

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №8

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №9

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №10

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №11

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №12

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №13

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №14

Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Твердотельная электроника Поверхность и контактные явления Диод Шоттки

Слайд 2

Описание слайда:

Влияние поверхностных состояний на энергетический спектр

Слайд 3

Описание слайда:

Контакт металл-полупроводник

Слайд 4

Описание слайда:

Контакт металл-собственный полупроводник

Слайд 5

Описание слайда:

Контакт металл-электронный полупроводник

Слайд 6

Описание слайда:

Контакт металл-дырочный полупроводник

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Сила изображения

Слайд 9

Описание слайда:

Граница металл-полупроводник при приложении электрического поля (барьер для электрона)

Слайд 10

Описание слайда:

Прямое и обратное смещение перехода металл-полупроводник

Слайд 11

Описание слайда:

Расчет ВАХ барьера Шоттки

Слайд 12

Описание слайда:

ВАХ диода Шоттки

Слайд 13

Описание слайда:

Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только выпрямить границы разрешенных зон . Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение может только выпрямить границы разрешенных зон . Другими словами, при приложении больших прямых смещений электроны начнут «убегать» от батареи смещения и все зоны будут наклоняться.

Слайд 14

Описание слайда:

Диод Шоттки

Слайд 15

Описание слайда:

Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Диоды Шоттки характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстро-действие получается достаточно высоким: граничная частота .