🗊Презентация Диод Шоттки

Диод Шоттки Выполнила: Студентка группы РФ-41 Кулишова Анастасия

Содержание: Введение. Общие сведение о диодах. Принцип работы. 3.1 Барьер Шоттки. 3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки. 4. Особенности перехода Шоттки. Структура диода Шоттки. Применение.

Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно.

4.Особенности перехода Шоттки.

При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника 1 – низкоомный исходный кристалл кремния (полупроводниковая подложка)  2 – эпитаксиальная плёнка высокоомного Кремния 3 – контакт металл-полупроводник 4 – металлический контакт 5 – внешний контакт