🗊 Презентация Диод Шоттки

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Диод Шоттки, слайд №1 Диод Шоттки, слайд №2 Диод Шоттки, слайд №3 Диод Шоттки, слайд №4 Диод Шоттки, слайд №5 Диод Шоттки, слайд №6 Диод Шоттки, слайд №7 Диод Шоттки, слайд №8 Диод Шоттки, слайд №9 Диод Шоттки, слайд №10 Диод Шоттки, слайд №11
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Диод Шоттки. Доклад-сообщение содержит 11 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Диод Шоттки Выполнила: Студентка группы РФ-41 Кулишова Анастасия
Описание слайда:
Диод Шоттки Выполнила: Студентка группы РФ-41 Кулишова Анастасия

Слайд 2


Содержание: Введение. Общие сведение о диодах. Принцип работы. 3.1 Барьер Шоттки. 3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки. 4. Особенности...
Описание слайда:
Содержание: Введение. Общие сведение о диодах. Принцип работы. 3.1 Барьер Шоттки. 3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки. 4. Особенности перехода Шоттки. Структура диода Шоттки. Применение.

Слайд 3


Диод Шоттки, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Диод Шоттки, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Диод Шоттки, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника...
Описание слайда:
Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно. Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году. Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно.

Слайд 7


Диод Шоттки, слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8


Диод Шоттки, слайд №8
Описание слайда:

Слайд 9


4.Особенности перехода Шоттки.
Описание слайда:
4.Особенности перехода Шоттки.

Слайд 10


При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника 1 –...
Описание слайда:
При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния) с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника 1 – низкоомный исходный кристалл кремния (полупроводниковая подложка) 2 – эпитаксиальная плёнка высокоомного Кремния 3 – контакт металл-полупроводник 4 – металлический контакт 5 – внешний контакт

Слайд 11


Диод Шоттки, слайд №11
Описание слайда:

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию