🗊Презентация Диод Шоттки

Категория: Технология
Нажмите для полного просмотра!
Диод Шоттки, слайд №1Диод Шоттки, слайд №2Диод Шоттки, слайд №3Диод Шоттки, слайд №4Диод Шоттки, слайд №5Диод Шоттки, слайд №6Диод Шоттки, слайд №7Диод Шоттки, слайд №8Диод Шоттки, слайд №9Диод Шоттки, слайд №10Диод Шоттки, слайд №11Диод Шоттки, слайд №12
Скачать
Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Диод Шоттки. Доклад-сообщение содержит 12 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Твердотельная электроника Диод Щоттки
Описание слайда:
Твердотельная электроника Диод Щоттки

Слайд 2


Диод Шоттки
Описание слайда:
Диод Шоттки

Слайд 3


ВАХ диода Шоттки
Описание слайда:
ВАХ диода Шоттки

Слайд 4


ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц. ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц.
Описание слайда:
ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц. ДШ характеризуются быстрой рекомбинацией инжектированных носителей (время жизни носителей крайне мало), а значит и высоким быстродействием. Благодаря минимальному сопротивлению базы и отсутствию процессов накопления и рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким: граничная частота fгр = 1010 Гц.

Слайд 5


Расчёт ВАХ
Описание слайда:
Расчёт ВАХ

Слайд 6


Расчет ВАХ (продолжение)
Описание слайда:
Расчет ВАХ (продолжение)

Слайд 7


Расчет ВАХ (окончание)
Описание слайда:
Расчет ВАХ (окончание)

Слайд 8


ВАХ p-n-перехода
Описание слайда:
ВАХ p-n-перехода

Слайд 9


ВАХ p-n переходов при различных температурах
Описание слайда:
ВАХ p-n переходов при различных температурах

Слайд 10


Контакт сильнолегированных полупроводников
Описание слайда:
Контакт сильнолегированных полупроводников

Слайд 11


Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер
Описание слайда:
Туннелирование носителей заряда сквозь узкий барьер

Слайд 12


ВАХ туннельного диода
Описание слайда:
ВАХ туннельного диода

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию