🗊Презентация Презентация к Л2. Основы кристаллографии

Категория: Образование
Нажмите для полного просмотра!
Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №1Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №2Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №3Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №4Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №5Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №6Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №7Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №8Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №9Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №10Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №11Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №12Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №13Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №14Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №15Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №16Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №17Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №18Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №19Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №20Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №21Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №22Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №23Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №24Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №25Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №26Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №27Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №28Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №29Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №30Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №31

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Презентация к Л2. Основы кристаллографии. Доклад-сообщение содержит 31 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №1
Описание слайда:

Слайд 2


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №2
Описание слайда:

Слайд 3





Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки . Периоды решетки выражаются в ангстремах – 
Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки . Периоды решетки выражаются в ангстремах – 
	Å (1Å= 10-9 cм). 
Под атомным радиусом понимают половину межатомного расстояния между центрами ближайших атомов в кристаллической решетке элемента при нормальной температуре и атмосферном давлении.
Описание слайда:
Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки . Периоды решетки выражаются в ангстремах – Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки . Периоды решетки выражаются в ангстремах – Å (1Å= 10-9 cм). Под атомным радиусом понимают половину межатомного расстояния между центрами ближайших атомов в кристаллической решетке элемента при нормальной температуре и атмосферном давлении.

Слайд 4







Энергия кристаллической решетки определяется как энергия, выделяющаяся при образовании кристалла из ионов, атомов или других частиц, образующих кристалл, когда исходное состояние этих частиц газообразное. От величины энергии решетки зависят такие свойства, как температура плавления, модуль упругости, прочность, твердость и др. Увеличение валентности атомов приводит к увеличению энергии решетки.

Координационное число K показывает количество атомов, находящихся на наиболее близком и равном расстоянии от любого выбранного атома в решетке.

Базисом решетки называется количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку решетки.
 Коэффициент компактности решетки определяется отношением объема, занимаемого атомами Vа, ко всему объему решетки Vp, т. е. η=Va/Vp.
Описание слайда:
Энергия кристаллической решетки определяется как энергия, выделяющаяся при образовании кристалла из ионов, атомов или других частиц, образующих кристалл, когда исходное состояние этих частиц газообразное. От величины энергии решетки зависят такие свойства, как температура плавления, модуль упругости, прочность, твердость и др. Увеличение валентности атомов приводит к увеличению энергии решетки. Координационное число K показывает количество атомов, находящихся на наиболее близком и равном расстоянии от любого выбранного атома в решетке. Базисом решетки называется количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку решетки. Коэффициент компактности решетки определяется отношением объема, занимаемого атомами Vа, ко всему объему решетки Vp, т. е. η=Va/Vp.

Слайд 5





любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами - индексами Миллера, которые обладают следующими свойствами:
любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами - индексами Миллера, которые обладают следующими свойствами:
это целые, не имеющие общего множителя числа;
они обратно пропорциональны    отрезкам,    отсекаемым плоскостью от начала координат;
все параллельные плоскости обозначаются одним набором индексов Миллера;
если плоскость параллельна какой-либо оси, соответствующий индекс равен нулю;
в кристаллах кубической системы плоскость и нормаль к ней обозначаются одинаковым набором индексов Миллера.
Описание слайда:
любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами - индексами Миллера, которые обладают следующими свойствами: любую кристаллографическую плоскость и любую грань кристалла можно определить тремя целыми числами - индексами Миллера, которые обладают следующими свойствами: это целые, не имеющие общего множителя числа; они обратно пропорциональны отрезкам, отсекаемым плоскостью от начала координат; все параллельные плоскости обозначаются одним набором индексов Миллера; если плоскость параллельна какой-либо оси, соответствующий индекс равен нулю; в кристаллах кубической системы плоскость и нормаль к ней обозначаются одинаковым набором индексов Миллера.

Слайд 6





Индексы     Миллера
Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования, удобный для всех кристаллографических систем координат.
 
Кристаллическая решетка характеризуется шестью параметрами элементарной ячейки: длинами ребер (трансляциями)и  углами.
Набор элементарных углов α,β,γ и элементарных трансляций a, b, c, называется метрикой
Описание слайда:
Индексы Миллера Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования, удобный для всех кристаллографических систем координат. Кристаллическая решетка характеризуется шестью параметрами элементарной ячейки: длинами ребер (трансляциями)и углами. Набор элементарных углов α,β,γ и элементарных трансляций a, b, c, называется метрикой

Слайд 7






Индексы узлов

Положение любого узла в решетке, относительно выбранного начала координат определяется заданием трех его координат - x, y, z. 
Эти координаты можно выразить следующим образом:
   x = ua, y = vb , z = wc,
	где a, b, c - параметры решетки; 
	u, v, w - целые числа.
Если за единицу измерения длин вдоль осей решетки принять параметры самой решетки a, b, c, то координатами узла будут просто числа u, v, w, которые называются индексами узла и записываются так: [[uvw]]. 
Для отрицательного индекса знак минуса ставится над индексом [[uvw]].
Задание 
Определить  индексы узлов с координатами узлы 
[[011]].
 [[111]].
[[100]]. 
[[110]].
[[ ½ ½ ½]].
Описание слайда:
Индексы узлов Положение любого узла в решетке, относительно выбранного начала координат определяется заданием трех его координат - x, y, z. Эти координаты можно выразить следующим образом: x = ua, y = vb , z = wc, где a, b, c - параметры решетки; u, v, w - целые числа. Если за единицу измерения длин вдоль осей решетки принять параметры самой решетки a, b, c, то координатами узла будут просто числа u, v, w, которые называются индексами узла и записываются так: [[uvw]]. Для отрицательного индекса знак минуса ставится над индексом [[uvw]]. Задание Определить индексы узлов с координатами узлы [[011]]. [[111]]. [[100]]. [[110]]. [[ ½ ½ ½]].

Слайд 8






Индексы направления

Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. 
Ее положение однозначно определяется индексами u, v, w первого узла, через который она проходит. Поэтому индексы узла [[uvw]] являются одновременно и индексами направления. 
За индексы направления, проходящего через начало координат, принимают координаты  первого  узла,  лежащего  на  этом  направлении< uvw > .
Описание слайда:
Индексы направления Для описания направления в кристалле выбирается прямая, проходящая через начало координат. Ее положение однозначно определяется индексами u, v, w первого узла, через который она проходит. Поэтому индексы узла [[uvw]] являются одновременно и индексами направления. За индексы направления, проходящего через начало координат, принимают координаты первого узла, лежащего на этом направлении< uvw > .

Слайд 9





Найти индексы узлового ряда, проходящего через два узла кристаллической решетки с символами 
[[101 ]] и [[111 ]] 

Решение. 
Семейство параллельных узловых рядов характеризуют 
вектором, проходящим через начало координат и ближайший узел решетки, 
индексы которого  являются индексами узлового ряда.
 Любой узел решетки определяется радиус-вектором
 R = ma + nb + pc, 
где а, b и с – базисные векторы, 
        m, n, p – индексы узла. 
Для двух узлов m1n1p1 и m2n2p2 радиусы-векторы будут 
R1 = m1a + n1b + p1c
R2 = m2a + n2b + p2c. 
Если поместить узел m1n1p1 в начало координат, радиус-вектор узла m2n2p2 в новой системе координат приобретет вид 
R2 - R1 = (m2- m1)a + (n2- n1)b + (p2- p1)c. 
R2 - R1 = (1-1)а+ (1-0)b+ (1-1)c= 0а1b 0c
Следовательно, при выборе начала координат в узле 101 символ второго узла станет 010, а символ проходящего через оба узла узлового ряда будет [010].
Описание слайда:
Найти индексы узлового ряда, проходящего через два узла кристаллической решетки с символами [[101 ]] и [[111 ]] Решение. Семейство параллельных узловых рядов характеризуют вектором, проходящим через начало координат и ближайший узел решетки, индексы которого являются индексами узлового ряда. Любой узел решетки определяется радиус-вектором R = ma + nb + pc, где а, b и с – базисные векторы, m, n, p – индексы узла. Для двух узлов m1n1p1 и m2n2p2 радиусы-векторы будут R1 = m1a + n1b + p1c R2 = m2a + n2b + p2c. Если поместить узел m1n1p1 в начало координат, радиус-вектор узла m2n2p2 в новой системе координат приобретет вид R2 - R1 = (m2- m1)a + (n2- n1)b + (p2- p1)c. R2 - R1 = (1-1)а+ (1-0)b+ (1-1)c= 0а1b 0c Следовательно, при выборе начала координат в узле 101 символ второго узла станет 010, а символ проходящего через оба узла узлового ряда будет [010].

Слайд 10





Индексы плоскости
Плоскость, проходящая через узлы кристаллографической решетки называется кристаллографической плоскостью. 
Индексы  плоскости  заключают в круглые скобки. Если плоскость параллельна одной из осей («пересекается в бесконечности»), то соответствующий индекс равен нулю . 
Если начало координат лежит в плоскости, то либо саму плоскость, либо нулевой узел необходимо перенести так, чтобы она не проходила через него.
 Как и для направлений,  индексы  плоскостей  всегда  приводят  к  трём  наименьшим  (взаимно  простым) целым числам.
Описание слайда:
Индексы плоскости Плоскость, проходящая через узлы кристаллографической решетки называется кристаллографической плоскостью. Индексы плоскости заключают в круглые скобки. Если плоскость параллельна одной из осей («пересекается в бесконечности»), то соответствующий индекс равен нулю . Если начало координат лежит в плоскости, то либо саму плоскость, либо нулевой узел необходимо перенести так, чтобы она не проходила через него. Как и для направлений, индексы плоскостей всегда приводят к трём наименьшим (взаимно простым) целым числам.

Слайд 11





Индицирование  плоскостей  проводится 
 в  следующей последовательности:

а) искомую  плоскость  необходимо  вынести  из  начала  координат (если,  конечно,  она  проходит  через  нулевой  узел)  и  определить  величины  отрезков  (в масштабных  единицах),    которые  отсекаются  ею  на координатных осях;  
б)  взять  обратные  значения  этих  отрезков,  привести  их  к  общему знаменателю  и  его  отбросить,  оставшиеся  в  числителе  величины  и  будут определять индексы данной плоскости.
Описание слайда:
Индицирование плоскостей проводится в следующей последовательности: а) искомую плоскость необходимо вынести из начала координат (если, конечно, она проходит через нулевой узел) и определить величины отрезков (в масштабных единицах), которые отсекаются ею на координатных осях; б) взять обратные значения этих отрезков, привести их к общему знаменателю и его отбросить, оставшиеся в числителе величины и будут определять индексы данной плоскости.

Слайд 12


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №12
Описание слайда:

Слайд 13


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №13
Описание слайда:

Слайд 14


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №14
Описание слайда:

Слайд 15





Изобразите плоскость с индексами
Изобразите плоскость с индексами
В  этом  случае  сначала  придется  выполнить  задачу, обратную  предыдущей,  поскольку  предварительно  надобно  определить  те отрезки,  которые сама плоскость отсекает на осях координат. 
Здесь также нужно взять обратные величины, которые составят соответственно
1 по оси x ,
-1 по оси  y 
1  по  оси  z. 
 При  построении  плоскости    в  качестве  нулевого  узла удобно выбрать точку А, тогда искомая плоскость примет вид
Описание слайда:
Изобразите плоскость с индексами Изобразите плоскость с индексами В этом случае сначала придется выполнить задачу, обратную предыдущей, поскольку предварительно надобно определить те отрезки, которые сама плоскость отсекает на осях координат. Здесь также нужно взять обратные величины, которые составят соответственно 1 по оси x , -1 по оси y 1 по оси z. При построении плоскости в качестве нулевого узла удобно выбрать точку А, тогда искомая плоскость примет вид

Слайд 16





Найдите индексы плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки:  2; -1; - 1/2.
Найдите индексы плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки:  2; -1; - 1/2.
Описание слайда:
Найдите индексы плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки: 2; -1; - 1/2. Найдите индексы плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки: 2; -1; - 1/2.

Слайд 17





В  кристалле  всегда  можно  выделить  плоскости,    которые параллельны   одному  направлению  в  пространстве.   
В  кристалле  всегда  можно  выделить  плоскости,    которые параллельны   одному  направлению  в  пространстве.   
 При  параллельном переносе все  эти плоскости пересекаются по данному направлению, которое называется  осью  зоны,    а  совокупность  таких  плоскостей  − кристаллографической    зоной.   
Группа плоскостей  ( h 1 k 1 l 1),    ( h 2 k 2 l 2)  и ( h 3 k 3 l 3),    формирующих кристаллографическую  зону  с  осью  [uvw].
Описание слайда:
В кристалле всегда можно выделить плоскости, которые параллельны одному направлению в пространстве. В кристалле всегда можно выделить плоскости, которые параллельны одному направлению в пространстве. При параллельном переносе все эти плоскости пересекаются по данному направлению, которое называется осью зоны, а совокупность таких плоскостей − кристаллографической зоной. Группа плоскостей ( h 1 k 1 l 1), ( h 2 k 2 l 2) и ( h 3 k 3 l 3), формирующих кристаллографическую зону с осью [uvw].

Слайд 18





Правило  зон  Вейсса гласит,  что  сумма попарных  произведений  индексов  плоскости  и  принадлежащего  ей направления равняется нулю. 
Правило  зон  Вейсса гласит,  что  сумма попарных  произведений  индексов  плоскости  и  принадлежащего  ей направления равняется нулю.
Описание слайда:
Правило зон Вейсса гласит, что сумма попарных произведений индексов плоскости и принадлежащего ей направления равняется нулю. Правило зон Вейсса гласит, что сумма попарных произведений индексов плоскости и принадлежащего ей направления равняется нулю.

Слайд 19





Определите  ось  зоны    для  следующих  пересекающихся плоскостей: (102) и (201). Дайте изображение   этих плоскостей и оси зоны.
Определите  ось  зоны    для  следующих  пересекающихся плоскостей: (102) и (201). Дайте изображение   этих плоскостей и оси зоны.
Описание слайда:
Определите ось зоны для следующих пересекающихся плоскостей: (102) и (201). Дайте изображение этих плоскостей и оси зоны. Определите ось зоны для следующих пересекающихся плоскостей: (102) и (201). Дайте изображение этих плоскостей и оси зоны.

Слайд 20





Выполним необходимые расчеты:
Выполним необходимые расчеты:
 u = 0⋅1 - 2⋅0 = 0;
 v = 2⋅2 - 1⋅1 = 3
w = 1⋅0 - 0⋅2 = 0. 
Таким образом, получаем  [030] или же в окончательном виде [010] (индексы должны иметь такую запись, чтобы общий знаменатель для них  мог  делиться  только  на  1).  
Легко  проверить  правильность  записанных символов данного направления, используя правило зон :  
1⋅0 + 0⋅1 + 2⋅0 = 0 и  соответственно  2⋅0 + 0⋅1+ 1⋅0 = 0.
Описание слайда:
Выполним необходимые расчеты: Выполним необходимые расчеты: u = 0⋅1 - 2⋅0 = 0; v = 2⋅2 - 1⋅1 = 3 w = 1⋅0 - 0⋅2 = 0. Таким образом, получаем [030] или же в окончательном виде [010] (индексы должны иметь такую запись, чтобы общий знаменатель для них мог делиться только на 1). Легко проверить правильность записанных символов данного направления, используя правило зон : 1⋅0 + 0⋅1 + 2⋅0 = 0 и соответственно 2⋅0 + 0⋅1+ 1⋅0 = 0.

Слайд 21





Какие из перечисленных ниже плоскостей могут входить в кристаллографическую зону [-1 1 1]:  (100);  (110); (101);  (211);  (321);  (011)?
Какие из перечисленных ниже плоскостей могут входить в кристаллографическую зону [-1 1 1]:  (100);  (110); (101);  (211);  (321);  (011)?
Описание слайда:
Какие из перечисленных ниже плоскостей могут входить в кристаллографическую зону [-1 1 1]: (100); (110); (101); (211); (321); (011)? Какие из перечисленных ниже плоскостей могут входить в кристаллографическую зону [-1 1 1]: (100); (110); (101); (211); (321); (011)?

Слайд 22





Использование индексов Миллера  в рентгеноструктурном анализе
Зная индексы (hkl) плоскости, можно подсчитать межплоскостное расстояние d между плоскостями (hkl) данного семейства для кубических кристаллов с периодом решетки a по формуле
Эта зависимость широко используется при рентгеноструктурном анализе кристаллических тел, имеющих кубическую решетку.
Описание слайда:
Использование индексов Миллера в рентгеноструктурном анализе Зная индексы (hkl) плоскости, можно подсчитать межплоскостное расстояние d между плоскостями (hkl) данного семейства для кубических кристаллов с периодом решетки a по формуле Эта зависимость широко используется при рентгеноструктурном анализе кристаллических тел, имеющих кубическую решетку.

Слайд 23





Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции отраженных рентгеновских лучей от атомов в параллельных кристаллографических плоскостях кристалла. 
Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции отраженных рентгеновских лучей от атомов в параллельных кристаллографических плоскостях кристалла. 
Лучи, отраженные от этих плоскостей, будут усиливать друг друга при условии, когда разность пути Δ для лучей равна целому числу длин волн λ:
где n — целое число; λ — длина волны рентгеновских лучей; 
d — межплоскостное расстояние; υ — угол падения и отражения лучей.
Формула для расшифровки линий рентгенограмм, снятых с материалов с кубической решеткой, 
получится из  предыдущих формул :
По промерам рентгенограммы устанавливают sinθ. 
Зная длину волны λ и параметр решетки а, устанавливают индексы плоскости (hkl) от которой получены соответствующие линии на рентгенограмме.
Описание слайда:
Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции отраженных рентгеновских лучей от атомов в параллельных кристаллографических плоскостях кристалла. Основой рентгеноструктурного анализа является формула Вульфа — Брэггов, показывающая условия интерференции отраженных рентгеновских лучей от атомов в параллельных кристаллографических плоскостях кристалла. Лучи, отраженные от этих плоскостей, будут усиливать друг друга при условии, когда разность пути Δ для лучей равна целому числу длин волн λ: где n — целое число; λ — длина волны рентгеновских лучей; d — межплоскостное расстояние; υ — угол падения и отражения лучей. Формула для расшифровки линий рентгенограмм, снятых с материалов с кубической решеткой, получится из предыдущих формул : По промерам рентгенограммы устанавливают sinθ. Зная длину волны λ и параметр решетки а, устанавливают индексы плоскости (hkl) от которой получены соответствующие линии на рентгенограмме.

Слайд 24





ОСЕВАЯ ПОРИСТОСТЬ
При кристаллизации слитка осевая зона незатвердевшего металла все время сужается и в отдельных местах происходит срастание кристаллов, растущих с противоположных боков этой зоны. 
Под сросшимися кристаллами затвердевание идет без доступа жидкого металла сверху из прибыльной части слитка и поэтому в этих местах образуются мелкие усадочные пустоты.
Описание слайда:
ОСЕВАЯ ПОРИСТОСТЬ При кристаллизации слитка осевая зона незатвердевшего металла все время сужается и в отдельных местах происходит срастание кристаллов, растущих с противоположных боков этой зоны. Под сросшимися кристаллами затвердевание идет без доступа жидкого металла сверху из прибыльной части слитка и поэтому в этих местах образуются мелкие усадочные пустоты.

Слайд 25


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26





Домены
Описание слайда:
Домены

Слайд 27


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №27
Описание слайда:

Слайд 28


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №29
Описание слайда:

Слайд 30


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №30
Описание слайда:

Слайд 31


Презентация к Л2. Основы кристаллографии, слайд №31
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию