🗊Презентация Примеси и примесные состояния в полупроводниках

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №1Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №2Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №3Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №4Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №5Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №6Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №7Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №8Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №9Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №10Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №11Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №12Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №13Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №14Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №15Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №16Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №17Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №18Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №19Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №20Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №21Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №22Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №23Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №24Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №25Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №26Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №27Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №28Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №29Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №30Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №31Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №32Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №33Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №34Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №35Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №36Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №37Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №38Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №39Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №40Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №41Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №42Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №43Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №44Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №45Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №46Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №47Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №48Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №49Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №50Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №51

Содержание

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Примеси и примесные состояния в полупроводниках. Доклад-сообщение содержит 51 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Твердотельная электроника
Примеси и примесные состояния
 в полупроводниках
Описание слайда:
Твердотельная электроника Примеси и примесные состояния в полупроводниках

Слайд 2





Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным! 
Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным!
Описание слайда:
Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным! Для управления электрическими свойствами полупроводников в них специально вводят примеси (легируют). Необходимо подчеркнуть, что при замещении атома кристалл остается электронейтральным!

Слайд 3





Элементы III, IV, V групп Периодической системы Д.И. Менделеева
Описание слайда:
Элементы III, IV, V групп Периодической системы Д.И. Менделеева

Слайд 4





Донорный полупроводник
Описание слайда:
Донорный полупроводник

Слайд 5





Донорный полупроводник
Энергия ионизации доноров (Ed), как правило, невелика и при комнатной температуре донорная примесь отдает свои электроны, поэтому такие полупроводники и называют электронными или полупроводниками n-типа, а электроны – основными носителями заряда. Дырки в электронном полупроводнике являются неосновными носителями.
Описание слайда:
Донорный полупроводник Энергия ионизации доноров (Ed), как правило, невелика и при комнатной температуре донорная примесь отдает свои электроны, поэтому такие полупроводники и называют электронными или полупроводниками n-типа, а электроны – основными носителями заряда. Дырки в электронном полупроводнике являются неосновными носителями.

Слайд 6





Уровень Ферми в донорном полупроводнике
Описание слайда:
Уровень Ферми в донорном полупроводнике

Слайд 7





Донорный полупроводник
Введение донорной примеси приводит к увеличению концентрации электронов (при её ионизации) и, соответственно, к смещению уровня Ферми к зоне проводимости (чем он ближе к ней, тем больше концентрация электронов).
Описание слайда:
Донорный полупроводник Введение донорной примеси приводит к увеличению концентрации электронов (при её ионизации) и, соответственно, к смещению уровня Ферми к зоне проводимости (чем он ближе к ней, тем больше концентрация электронов).

Слайд 8





Уравнение электронейтральности
Описание слайда:
Уравнение электронейтральности

Слайд 9


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №9
Описание слайда:

Слайд 10





Зависимость положения уровня Ферми от температуры в полупроводнике n-типа
Описание слайда:
Зависимость положения уровня Ферми от температуры в полупроводнике n-типа

Слайд 11





Заполнение электронами зоны проводимости в невырожденном полупроводнике n-типа
Описание слайда:
Заполнение электронами зоны проводимости в невырожденном полупроводнике n-типа

Слайд 12





Функция Ферми-Дирака для примесных полупроводников
Описание слайда:
Функция Ферми-Дирака для примесных полупроводников

Слайд 13





Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда для донорного полупроводника
Описание слайда:
Положение уровня Ферми и концентрация носителей заряда для донорного полупроводника

Слайд 14





Концентрация носителей заряда в легированном полупроводнике
Описание слайда:
Концентрация носителей заряда в легированном полупроводнике

Слайд 15





Зависимость концентрации электронов от температуры в полупроводнике n-типа
Описание слайда:
Зависимость концентрации электронов от температуры в полупроводнике n-типа

Слайд 16


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №16
Описание слайда:

Слайд 17





Акцепторный полупроводник
Описание слайда:
Акцепторный полупроводник

Слайд 18





Акцепторный полупроводник
Энергия ионизации акцепторов Ea<<Eg, и при комнатной температуре акцепторная примесь ионизованна, поэтому такие полупроводники и называют полупроводниками p-типа, а дырки – основными носителями заряда. Электроны в полупроводнике p-типа являются неосновными носителями. Введение акцепторной примеси приводит к смещению уровня Ферми к валентной зоне.
Описание слайда:
Акцепторный полупроводник Энергия ионизации акцепторов Ea<<Eg, и при комнатной температуре акцепторная примесь ионизованна, поэтому такие полупроводники и называют полупроводниками p-типа, а дырки – основными носителями заряда. Электроны в полупроводнике p-типа являются неосновными носителями. Введение акцепторной примеси приводит к смещению уровня Ферми к валентной зоне.

Слайд 19





Уровень Ферми в акцепторном полупроводнике
Описание слайда:
Уровень Ферми в акцепторном полупроводнике

Слайд 20





Зависимость положения уровня Ферми от температуры в акцепторном полупроводнике
Описание слайда:
Зависимость положения уровня Ферми от температуры в акцепторном полупроводнике

Слайд 21


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №21
Описание слайда:

Слайд 22





Зависимость положения уровня Ферми от температуры для Ge n- и p-типов
Описание слайда:
Зависимость положения уровня Ферми от температуры для Ge n- и p-типов

Слайд 23





Уравнение электронейтральности
Описание слайда:
Уравнение электронейтральности

Слайд 24


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №24
Описание слайда:

Слайд 25


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №25
Описание слайда:

Слайд 26


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №26
Описание слайда:

Слайд 27





Смещение энергетических зон под действием электрического поля
А) Без смещения                          Б) Приложено                                            					внешнее напряжение
Описание слайда:
Смещение энергетических зон под действием электрического поля А) Без смещения Б) Приложено внешнее напряжение

Слайд 28


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №28
Описание слайда:

Слайд 29





Расчет скорости свободного электрона
Описание слайда:
Расчет скорости свободного электрона

Слайд 30





Схема движения свободного электрона
Описание слайда:
Схема движения свободного электрона

Слайд 31


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №31
Описание слайда:

Слайд 32


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №32
Описание слайда:

Слайд 33


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №33
Описание слайда:

Слайд 34





Классификация веществ
Описание слайда:
Классификация веществ

Слайд 35





Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях
Описание слайда:
Насыщение дрейфовой скорости в сильных электрических полях

Слайд 36


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №36
Описание слайда:

Слайд 37





Подвижность носителей заряда
Описание слайда:
Подвижность носителей заряда

Слайд 38





Рассеяние на ионах примеси
Описание слайда:
Рассеяние на ионах примеси

Слайд 39


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №39
Описание слайда:

Слайд 40





Рассеяние на колебаниях решетки
Описание слайда:
Рассеяние на колебаниях решетки

Слайд 41


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №41
Описание слайда:

Слайд 42





Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации легирующей примеси
Описание слайда:
Зависимость подвижности электронов и дырок от концентрации легирующей примеси

Слайд 43





Зависимость подвижности носителей заряда от обратной температуры при различных концентрациях примеси
Описание слайда:
Зависимость подвижности носителей заряда от обратной температуры при различных концентрациях примеси

Слайд 44


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №44
Описание слайда:

Слайд 45





Типичные значения подвижности (300К) для некоторых полупроводников
Описание слайда:
Типичные значения подвижности (300К) для некоторых полупроводников

Слайд 46


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №46
Описание слайда:

Слайд 47


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №47
Описание слайда:

Слайд 48





Расчет электропроводности
Описание слайда:
Расчет электропроводности

Слайд 49


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №49
Описание слайда:

Слайд 50





Собственная проводимость 
Зависимость электропроводности собственного материала от температуры:
Описание слайда:
Собственная проводимость Зависимость электропроводности собственного материала от температуры:

Слайд 51


Примеси и примесные состояния в полупроводниках, слайд №51
Описание слайда:



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию