МОП и КМОП структуры - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему МОП и КМОП структуры. Доклад-сообщение содержит 10 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

МОП структура МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник»

Слайд 2

Описание слайда:

Слайд 3

Описание слайда:

Транзисторы с изолированным затвором Устройство полевого транзистора с изолированным затвором. a) — с индуцированным каналом, b) — со встроенным каналом

Слайд 4

Описание слайда:

Слайд 5

Описание слайда:

Схемы включения Условное графическое изображение и схема включения а) МДП-транзистора с индуцированным каналом p-типа, б) – n-типа.

Слайд 6

Описание слайда:

КМОП транзисторы КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) — технология построения электронных схем. В более общем случае — КМДП (со структурой металл-диэлектрик-полупроводник). В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний).

Слайд 7

Описание слайда:

В транзисторах горизонтальной структуры эмиттер, база, и коллектор расположены на одной горизонтальной плоскости, поэтому инжектированные в базу неосновные носители перемещаются не перпендикулярно поверхности кристалла, а вдоль нее. Такие транзисторы называются торцевыми (латеральными). При изготовлении торцевых В транзисторах горизонтальной структуры эмиттер, база, и коллектор расположены на одной горизонтальной плоскости, поэтому инжектированные в базу неосновные носители перемещаются не перпендикулярно поверхности кристалла, а вдоль нее. Такие транзисторы называются торцевыми (латеральными). При изготовлении торцевых

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

Пример на основе схемы (2и-не) В логическом элементе (рис. 5), выполняющем функцию И-НЕ, работают комплементарные полевые транзисторы. Транзисторы с каналом р-типа (VT1, VT2) подключены к положительному проводнику источника питания, а с каналом N-типа (ѴТЗ, ѴТ4) соединены последовательно. Передаточная характеристика элемента приведена на рис. 6. При входном напряжении 2 В и менее транзисторы VT1 и ѴТ2 открыты, так как напряжение на участках затвор — исток (при напряжении питания 9 В) составляет не менее 7 В.

Слайд 10

Описание слайда:

Передаточная характеристика элемента КМОП 2И-НЕ Напряжение на таких же участках транзисторов ѴТЗ и ѴТ4 оказывается недостаточным для их открывания, поэтому на выходе элемента будет напряжение, почти равное напряжению питания, т. е. около 9 В (рис. 4, точка а). По мере увеличения входного 'напряжения транзисторы ѴТЗ, ѴТ4 начинают открываться, a VT1, ѴТ2 закрываться. На участке а—б этот процесс происходит сравнительно плавно, на участке б—в он ускоряется, в результате чего крутизна передаточной характеристики резко возрастает и по коэффициенту усиления соответствует 20 ... 26 дБ. В точке в транзисторы VT1 и ѴТ2 почти полностью закрыты, a ѴТЗ и ѴТ4 открыты. Выходное напряжение в этом случае невелико и при увеличении входного напряжения до напряжения источника питания оно стремится к нулю.

Теги КМОП структуры

Похожие презентации