Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом

Нажмите для полного просмотра!

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №2

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №3

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №4

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №5

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №6

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №7

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №8

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №9

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №10

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №11

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №12

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №13

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №14

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №15

Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом, слайд №16

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом. Доклад-сообщение содержит 16 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Лекция Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом

Слайд 2

Описание слайда:

ИС на транзисторах со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) получили широкое распространение. ИС на транзисторах со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) получили широкое распространение. В качестве диэлектрика в настоящее время используют диоксид кремния SiO2 (МОП-структуры). Имеются работы о возможности использования в качестве тонкого диэлектрика пленку оксинитрида SiNO.

Слайд 3

Описание слайда:

Преимущества МОП ИС над биполярными ИС малые размеры и площадь упрощенная изоляция низкая потребляемая и рассеиваемая мощность устойчивость к перегрузкам высокое входное сопротивление помехоустойчивость низкая себестоимость производства

Слайд 4

Описание слайда:

Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке. Первый транзистор, работающий на эффекте поля, был продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке.

Слайд 5

Описание слайда:

Структуры и условные обозначения МОП транзисторов: со встроенными - а)n-каналом; б)p-каналом; с индуцированными - в) n-каналом; г) p-каналом .

Слайд 6

Описание слайда:

Основу современных цифровых схем составляет схема, на транзисторах с каналами n- и p- типов проводимости – комплементарная структура (КМДП инвертор). Основу современных цифровых схем составляет схема, на транзисторах с каналами n- и p- типов проводимости – комплементарная структура (КМДП инвертор). По сравнению с n-МОП ИС КМОП ИС потребляют меньшую мощность, имеют большую помехоустойчивость и высокую нагрузочную способность по выходу.

Слайд 7

Описание слайда:

Выбор подложки В качестве подложки выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с концентрацией примеси 1015 - 1016 см-3. Ориентация кремниевой подложки (100) имеет преимущество по сравнению с (111), заключающееся с более высокой подвижности электронов, обусловленной низкой плотностью поверхностных состояний на границе кремний-диэлектрик.

Слайд 8

Описание слайда:

Один из транзисторов КМОП пары размещается в так называемом кармане. Один из транзисторов КМОП пары размещается в так называемом кармане. Возможны следующие варианты изготовления КМОП ИС: с p-карманом; с n-карманом; с двумя карманами.

Слайд 9

Описание слайда:

Маршрут изготовления КМОП ИС с p-карманом (Самосовмещенная технология) Формирование маски для легирования кармана (Окисление 0,1 мкм -ФЛ №1 Окисление 0,05 мкм). И.л. бором B.

Слайд 10

Описание слайда:

3. Разгонка кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2 до Si. 3. Разгонка кармана: Окисление + Отжиг, ЖХТ SiO2 до Si. 4. Окисление 500 Å + Осаждение Si3N4

Слайд 11

Описание слайда:

5. Создание области р+ – охраны: 5. Создание области р+ – охраны: ФЛ №2 + ПХТ Si3N4 +ЖХТ SiO2 +и.л. бором (р+ - охрана). 6. Создание области n+ – охраны: ФЛ №3 + ПХТ Si3N4 +ЖХТ SiO2 +и.л. фосфором (р+ - охрана). 7. «ЛОКОС»: Окисление в парах воды при температуре 850 °С до толщины 0,6 мкм.

Слайд 12

Описание слайда:

8. ЖХТ Si3N4 + ЖХТ SiO2

Слайд 13

Описание слайда:

9. Предварительное окисление. 9. Предварительное окисление. 10. ЖХТ SiO2 - предварительного окисла. 11. Окисление под затвор (d=350-450 Å).

Слайд 14

Описание слайда:

12. Осаждение поликремния Si٭ + Диффузия фосфора (легирование затворов) + ЖХТ ФСС. 12. Осаждение поликремния Si٭ + Диффузия фосфора (легирование затворов) + ЖХТ ФСС.

Слайд 15

Описание слайда:

13. Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ Si*+ Окисление («спейсеры»). 13. Формирование затворов: ФЛ №4+ПХТ Si*+ Окисление («спейсеры»). 14. Формирование областей (n+-стоки, исток) и (p+- стоки, исток): ФЛ №5 + И.л. фосфором (n+-стоки, исток) + ФЛ №6 + И.л. бором (p+- стоки, исток) + Осаждение SiO2 .

Слайд 16

Описание слайда:

15. Формирование первого уровня металлизации: 15. Формирование первого уровня металлизации: ФЛ №7 (контактные окна) + ПХТ SiO2 в окнах + напыление Al+Si или силицидов (например, TiSi, PtSi)+ ФЛ №8 (металл) + ЖХТ Al+Si.