Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №1

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №2

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №3

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №4

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №5

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №6

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №7

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №8

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №9

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №10

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №11

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №12

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №13

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №14

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №15

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №16

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №17

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №18

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №19

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №20

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №21

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №22

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №23

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №24

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №25

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №26

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №27

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №28

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №29

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №30

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №31

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №32

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №33

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №34

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №35

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №36

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №37

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №38

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №39

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №40

Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych, слайд №41

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Charakterystyki i parametry diod polprzewodnikowych. Доклад-сообщение содержит 41 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

Слайд 2

Описание слайда:

Spis treści

Слайд 3

Описание слайда:

1. Wstęp teoretyczny Diodą nazywamy element wykonany z półprzewodnika, zawierającego jedno złącze p-n lub złącze metal – półprzewodnik m-s z dwoma końcówkami wyprowadzeń. Złącze p-n stanowi warstwę przejściową między obszarem półprzewodnika typu p i półprzewodnika typu n. Diody stosowane są w układach analogowych i cyfrowych. W układach analogowych wykorzystywana jest zależność rezystancji dynamicznej od napięcia lub prądu wejściowego, lub też zmiany pojemności w funkcji napięcia. W układach cyfrowych istotne są natomiast właściwości przełączające diody. Diody półprzewodnikowe stosuje się w układach prostowania prądu zmiennego, w układach modulacji i detekcji, przełączania, generacji i wzmacniania sygnałów elektrycznych.

Слайд 4

Описание слайда:

Diody można podzielić ze względu na: materiał, z którego dioda jest wykonana: krzemowe, germanowe, z arsenku galu, selenowe. konstrukcje: ostrzowe, warstwowe, stopowe, dyfuzyjne, planarne, epiplanarne.

Слайд 5

Описание слайда:

Zasada działania diody Charakterystyka diody oraz jej parametry są podobne, a niekiedy takie same jak złącza p-n. W momencie zetknięcia się półprzewodnika typu p i n, w wyniku dyfuzji popłyną prądy termokinetyczne. Elektrony (nośniki większościowe) będą przechodziły z półprzewodnika typu n do p, natomiast dziury (też nośniki większościowe) – z p do n. Na skutek dyfuzyjnego przepływu nośników, w obszarze przyzłączowym tworzą się nieskompensowane ładunki (w półprzewodniku n – dodatni, w p- ujemny). W związku z tym w obszarze złącza powstaje różnica potencjałów, która tworzy barierę energetyczną (napięcie na barierze nosi nazwę napięcia dyfuzyjnego - UD). W temperaturze bliskiej pokojowej dla złączy krzemowych UD = (0,6 - 0,8)V, a dla złączy germanowych UD = (0,1 - 0,3)V. Bariera przeciwdziała dalszej dyfuzji nośników większościowych. Powstała w ten sposób jest nazywana warstwą zaporową lub warstwą ładunku przestrzennego, ewentualnie warstwą zubożaną.

Слайд 6

Описание слайда:

Polaryzacja złącza p-n Złącze p-n posiada różne właściwości w zależności od sposobu polaryzacji. Jeżeli do półprzewodnika p przyłożymy potencjał dodatni, a do n ujemny to złącze spolaryzowane będzie w kierunku przewodzenia. Zmniejsza się wówczas bariera potencjału do wartości UD – U (U – napięcie zasilające), maleje szerokość warstwy zaporowej, maleje ładunek i natężenie pola elektrycznego. Zmniejszenie bariery potencjałów powoduje wzrost prądu dyfuzyjnego. Przy odwrotnej polaryzacji złącza (w kierunku zaporowym) napięcie zewnętrzne ma kierunek zgodny z kierunkiem UD. Następuje więc dalszy odpływ nośników z obszaru otaczającego warstwę zaporową. Zwiększa się jej szerokość i wzrasta bariera potencjału. Zwiększenie liczby nośników spowoduje zmniejszenie prądu dyfuzji. Przez tak spolaryzowane złącze płynie niewielki prąd związany tylko z nośnikami mniejszościowymi, nazywany prądem unoszenia. Prąd ten praktycznie nie zależy od przyłożonego napięcia.

Слайд 7

Описание слайда:

Слайд 8

Описание слайда:

Слайд 9

Описание слайда:

1.1. Diody prostownicze Diody prostownicze są przeznaczone do prostowania napięcia lub prądu przemiennego o małej częstotliwości (z reguły chodzi o 50Hz). Są to diody pracujące przeważnie w układach prostowniczych bloków zasilania, różnych urządzeń elektronicznych i elektrycznych. Czasami diody pracują przy częstotliwości 400Hz (systemy pokładowe) lub nawet kilku kiloherców.

Слайд 10

Описание слайда:

Diody prostownicze charakteryzują się następującymi parametrami: Maksymalny prąd przewodzenia IFmax Maksymalne napięcie przewodzenia UFmax Napięcie przewodzenia (dla IF=0,1IFmax) UF Dopuszczalne napięcie wsteczne URWM Dopuszczalna moc admisyjna Pad Rezystancja statyczna w punkcie P(UP, IP) R Rezystancja dynamiczna w punkcie P(UP, IP) rd

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Charakterystyki prądowo – napięciowe diod Na rys. 4. przedstawiono charakterystykę prądowo – napięciowa diody prostowniczej z zaznaczeniem podanych wyżej parametrów diody. W katalogach podaje się znacznie większą liczbę parametrów, jednak z punktu widzenia ćwiczenia laboratoryjnego są one trudne do pomiaru lub niezbyt istotne, dlatego też wyszczególnienie ich uznano za niepotrzebne. Na rys. 5. przedstawiono charakterystyki prądowo - napięciowe diody krzemowej i germanowej. Diody zaczynają przewodzić (następuje gwałtowny wzrost prądu) dopiero po przekroczeniu pewnej wartości napięcia w kierunku przewodzenia zwanego napięciem progowym UD. Dla diod krzemowych ok.0,6V – 0,7V dla germanowych ok. 0,1V - 0,3V. Jest to jedyna wyższość diody germanowej nad krzemową. Diody germanowe mają znacznie mniejsze dopuszczalne napięcie wsteczne i mniejszą temperaturę dopuszczalną.

Слайд 13

Описание слайда:

Слайд 14

Описание слайда:

1. 2 Diody Zenera Diody Zenera są to diody stabilizacyjne, warstwowe p-n przeznaczone do zastosowań w układach stabilizacji napięć, w układach ograniczników napięć, jako źródła napięć odniesienia itp. Diody stabilizacyjne pracują przy polaryzacji w kierunku zaporowym. Typowy obszar pracy tych diod znajduje się na odcinku charakterystyki prądowo-napięciowej (rys. 5.) odpowiadającym gwałtownemu wzrostowi prądu wstecznego wskutek zjawiska przebicia Zenera lub (i) przebicia lawinowego. Przebicie Zenera występuje w złączach silnie domieszkowanych przy napięciach do 5V. Przebicie lawinowe występuje w złączach słabo domieszkowanych przy napięciach powyżej 7V. Przy napięciach od 5V do 7V w złączach średnio domieszkowanych występują jednocześnie oba zjawiska.

Слайд 15

Описание слайда:

Слайд 16

Описание слайда:

Najważniejsze parametry statyczne diody Zenera: napięcie stabilizacji UZ ; maksymalna moc strat Ptot; minimalny prąd stabilizacji IZmin maksymalny stały prąd przewodzenia IFmax

Слайд 17

Описание слайда:

2. Przebieg ćwiczenia laboratoryjnego 2.1. Cel ćwiczenia

Слайд 18

Описание слайда:

Слайд 19

Описание слайда:

Слайд 20

Описание слайда:

Слайд 21

Описание слайда:

Sposób przeprowadzenia pomiarów Należy kolejno podłączać do układu: diodę prostowniczą krzemową 1N4002 diodę germanową DZG7 lub AAP 152 diody elektroluminescencyjne L-53 ID, L-53 YD, L-53 MBDL Wykonać pomiary charakterystyk diod w kierunku przewodzenia. Pomiar polega na ustawieniu regulowanym zasilaczem E odpowiedniej wartości prądu IF mierzonego miliamperomierzem mA i odczycie napięcia na diodzie UF mierzonego woltomierzem V. Należy pamiętać, aby nie przekroczyć maksymalnego prądu IFmax. badanego elementu. Dla diody krzemowej i germanowej wykonać pomiary dla określonych prądów IF np. 8 mA, 10 mA, 12 mA – w celu wyznaczenia rezystancji statycznej i dynamicznej diody. Wyniki pomiarów zanotować w Tabeli 1.

Слайд 22

Описание слайда:

Слайд 23

Описание слайда:

2.3. Wyznaczanie charakterystyk diod w kierunku zaporowym 2.3. Wyznaczanie charakterystyk diod w kierunku zaporowym

Слайд 24

Описание слайда:

Слайд 25

Описание слайда:

Sposób przeprowadzenia pomiarów Należy kolejno podłączać do układu: diodę prostowniczą krzemową 1N4002 diodę prostowniczą germanową DZG7, diody elektroluminescencyjne L-53 ID, L-53 YD, L-53 MBDL. Wykonać pomiary charakterystyk diod w kierunku zaporowym. Pomiar polega na ustawieniu regulowanym zasilaczem E odpowiedniego napięcia na diodzie UR (woltomierz V) i odczycie prądu IR (mikroamperomierz μA). Należy pamiętać, aby nie przekroczyć maksymalnego napięcia URmax.= 30V. Wyniki pomiarów zanotować w Tabeli 2.

Слайд 26

Описание слайда:

Слайд 27

Описание слайда:

2.3. Wyznaczanie charakterystyki diody Zenera w kierunku zaporowym

Слайд 28

Описание слайда:

Слайд 29

Описание слайда:

Sposób przeprowadzenia pomiarów. Połączyć układ do wyznaczania charakterystyki diody Zenera w kierunku zaporowym (rys. 12.); Wykonać pomiary charakterystyk diod Zenera w kierunku zaporowym. Pomiar polega na ustawieniu regulowanym zasilaczem E odpowiedniej wartości prądu IZ (miliamperomierz mA) i odczycie napięcia na diodzie Zenera U (woltomierz V). Należy pamiętać, aby nie przekroczyć prądu maksymalnego Imax.=100 mA. Wykonać pomiary dla określonych prądów np. 8 mA, 10 mA, 12 mA w celu wyznaczenia rezystancji statycznej i dynamicznej diody. Wyniki pomiarów zanotować w Tabeli 3.

Слайд 30

Описание слайда:

Слайд 31

Описание слайда:

3. Opracowanie wyników pomiaru W sprawozdaniu należy zamieścić: Schematy układów pomiarowych realizowanych na ćwiczeniu; Tabele pomiarowe z wynikami. Charakterystyki prądowo – napięciowe poszczególnych diod sporządzone na podstawie przeprowadzonych pomiarów. Wyznaczenie rezystancji statycznej i dynamicznej diody prostowniczej krzemowej i germanowej w kierunku przewodzenia dla określonej wartości prądu np. 10 mA na podstawie pomiarów. Wyznaczenie rezystancji statycznej i dynamicznej wszystkich diod Zenera w kierunku zaporowym dla określonej wartości prądu np. 10 mA na podstawie pomiarów. Wnioski.