БЛОКИ ПАМЯТИ МПС - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему БЛОКИ ПАМЯТИ МПС. Доклад-сообщение содержит 29 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

БЛОКИ ПАМЯТИ МПС

Слайд 2

Описание слайда:

Назначение микросхем памяти и их разновидности Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологии на основе кремния с высокой степенью интеграции компонентов на кристалле, что определяет их принадлежность к большим интегральным схемам (БИС). Конструктивно БИС памяти представляет собой полупроводниковый кристалл с площадью в несколько десятков квадратных миллиметров, заключенный в корпус.

Слайд 3

Описание слайда:

общие характеристики БИС памяти информационную емкость, быстродействие, энергопотребление

Слайд 4

Описание слайда:

Информационную емкость определяют числом единиц информации в битах или байтах (один байт равен восьми битам), которое БИС памяти может хранить одновременно Быстродействие характеризуют временными параметрами, в частности временем цикла записи или считывания Энергопотребление определяют произведением тока потребления и напряжений источников питания. Нередко для БИС памяти указывают энергопотребление в расчете на один бит.

Слайд 5

Описание слайда:

функциональное назначение микросхемы памяти подразделяют на два вида: ОЗУ(RAM) и ПЗУ (ROM) ОЗУ – оперативные запоминающие устройства ПЗУ– постоянные запоминающие устройства

Слайд 6

Описание слайда:

Микросхема ОЗУ

Слайд 7

Описание слайда:

Основной составной частью микросхемы ОЗУ является массив элементов памяти, объединенных в матрицу накопителя. Элемент памяти (ЭП) может хранить один бит (О или I) информации. Каждый ЭП имеет свой адрес. Для обращения к ЭП необходимо его «выбрать» с помощью кода адреса, сигналы которого подводят к соответствующим выводам микросхемы.

Слайд 8

Описание слайда:

Разрядность кода адреса m, равная числу двоичных единиц в нем, определяет информационную емкость микросхемы ОЗУ , т. е. число ЭП в матрице накопителя, которое можно адресовать: оно равно 2*m. Например, микросхема ОЗУ, у которой число адресных входов равно m= 10, содержит в матрице 2*10= 1024 ЭП, т. е. имеет информационную емкость 1024 бит. (Заметим, что для обозначения числа 2*|0=1024 в вычислительной технике применяют букву К.)

Слайд 9

Описание слайда:

Для ввода и вывода информации служит вход и выход микросхемы. Для управления режимом микросхемы памяти необходим сигнал «Запись-считывание», значение 1 которого определяет режим записи бита информации в ЭП, а 0 — режим считывания бита информации из ЭП. Такую организацию матрицы накопителя, при которой одновременно можно записывать или считывать один бит. называют одноразрядной. Большинство микросхем ОЗУ имеют одноразрядную организацию. Но некоторые из них имеют многоразрядную организацию, иначе называемую, «словарной». У таких микросхем несколько информационных входов и столько же выходов, и поэтому они допускают одновременную запись (считывание) многоразрядного кода, который принято называть «словом».

Слайд 10

Описание слайда:

Микросхемы ОЗУ по типу ЭП разделяют на статические и динамические. В микросхемах статических ОЗУ в качестве ЭП применены статические триггеры на биполярных или МДП-транзисторах Как известно, статический триггер способен при наличии напряжения питания сохранять свое состояние неограниченное время. Число состояний, в которых может находиться триггер, равно двум, что и позволяет использовать его для хранения двоичной единицы информации.

Слайд 11

Описание слайда:

динамические ОЗУ В микросхемах динамических ОЗУ элементы памяти выполнены на основе электрических конденсаторов, сформированных внутри полупроводникового кристалла. Такие ЭП не могут долгое время сохранять свое состояние, определяемое наличием или отсутствием электрического заряда, и поэтому нуждаются в периодическом восстановлении (регенерации). Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной емкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном ЭП и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле. Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации, и в дополнительном оборудовании, и в усложнении устройств управления.

Слайд 12

Описание слайда:

Микросхемы ПЗУ Микросхемы ПЗУ построены также по принципу матричной структуры накопителя. Функции ЭП в микросхемах ПЗУ выполняют перемычки в виде проводников, диодов или транзисторов между шинами строк и столбцов в накопителе. В такой матрице наличие перемычки соответствует, например, 1, а ее отсутствие — 0. Микросхемы ПЗУ имеют словарную организацию, и поэтому информация считывается в форме многоразрядного кода, т. е. словом

Слайд 13

Описание слайда:

Совокупность ЭП в матрице накопителя, в которой размещается слово, называют ячейкой памяти (ЯП). Число ЭП в ЯП определяет ее разрядность п. Каждая ЯП имеет свой адрес, и для обращения к определенной ЯП для считывания из нее информации необходимо к адресным выводам микросхемы подвести сигналы кода, соответствующего данной ячейке адреса. Число ячеек памяти равно 2*m, а информационная емкость микросхемы —2m X n бит.

Слайд 14

Описание слайда:

Слайд 15

Описание слайда:

Занесение информации в микросхемы ПЗУ, т. е. их программирование, осуществляют в основном двумя способами. Один способ заключается в формировании в накопителе перемычек в местах пересечения строк и столбцов матрицы через маску на заключительной технологической стадии изготовления микро схемы ПЗУ. Такие микросхемы ПЗУ называют масочными. (ROM)

Слайд 16

Описание слайда:

. Другой способ программирования микросхемы ПЗУ основан на пережигании легкоплавких перемычек в тех пересечениях шин строк и столбцов, куда должен быть записан 0 или 1, в зависимости от принятого кодирования. В исходном состоянии такая микросхема имеет в матрице перемычки во всех пересечениях строк и столбцов. Программирование осуществляет пользователь электрическими импульсами с помощью устройства для программирования, называемого программатором. Микросхемы ПЗУ, масочные (ПЗУМ) и программируемые пользователем (ППЗУ), допускают однократное программирование, поскольку оно осуществляется формированием или разрушением соединений в матрице. Один из вариантов реализации ПЗУ ориентирован на программирование заданных логических функций. Такие ПЗУ называют программируемыми логическими матрицами (ПЛМ).

Слайд 17

Описание слайда:

Существует разновидность микросхем ПЗУ, допускающая неоднократное (сотни и тысячи циклов) перепрограммирование (репрограммирование). Элементом памяти в микросхемах репрограммируемых ПЗУ (РПЗУ) является МДП-транзистор, обладающий свойством переходить в состояние проводимости под воздействием импульса программирующего напряжения и сохранять это состояние длительное время

Слайд 18

Описание слайда:

. Для стирания информации перед новым циклом программирования необходимо вытеснить накопленный под затвором заряд. В зависимости от способа выполнения этой операции микросхемы РПЗУ разделяют на два вида: со стиранием электрическим сигналом (РПЗУ-ЭС) и ультрафиолетовым светом (РПЗУ-УФ), которым полупроводниковый кристалл облучают через специальное окно в крышке корпуса. Микросхемы РПЗУ сохраняют информацию длительное время без питания, т. е. Являются энергонезависимыми.

Слайд 19

Описание слайда:

. Классификация микросхем памяти

Слайд 20

Описание слайда:

вид микросхемы: РУ — оперативные ЗУ с управлением, РМ — матрицы ОЗУ; РЕ — масочные ПЗУ; РТ—программируемые ПЗУ; РР — репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации электрическим сигналом; РФ — репрограммируемое ПЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым светом; —ИР — регистры.

Слайд 21

Описание слайда:

: КР565РУ6Б — микросхема общетехнического применения в пластмассовом корпусе, полупроводниковая, серия 565, ОЗУ, разработка 6, типономинал Б. КМ1609РР11 —микросхема общетехнического применения в металлокерамическом корпусе, полупроводниковая, серия 1609, репрограммируемое ПЗУ со стиранием электрическим сигналом, разработка 11. К573РФ6А — полупроводниковая микросхема обшетехнического применения, серии 573, РПЗУ со стиранием ультрафиолетовым светом, разработка 6, типономинал А.

Слайд 22

Описание слайда:

. Микросхема памяти как функциональный узел.

Слайд 23

Описание слайда:

Условные графические изображения микросхем ОЗУ

Слайд 24

Описание слайда:

Условные графические изображения микросхем ПЗУМ(а), ППЗУ(б)

Слайд 25

Описание слайда:

Условное графическое Изображение микросхемы РПЗУ

Слайд 26

Описание слайда:

Слайд 27

Описание слайда:

Слайд 28

Описание слайда:

временныt параметры микросхем памяти а) параметры, характеризующие длительности сигналов и интервалов между сигналами, например сигнала А: б) параметры, характеризующие взаимный сдвиг сигналов, например сигналов А и В: tус в А— время установления сигнала В относительно А; tу В.А.— время удержания сигнала В относительно А; tсх А.В — время сохранения сигнала А относительно В; в) время цикла tц— интервал времени между началами (окончаниями) сигналов на одном из управляющих входов, например А, в течение которого микросхема выполняет одну функцию, например запись tц. з n или считывание tц. сч ; г) время выборки tв— интервал времени между подачей на вход микросхемы заданного сигнала, например А, и получением на выходе данных D:tвА нередко в справочниках приводят несколько значений этого параметра, которые характеризуют задержку выходных сигналов относительно разных сигналов управления.