🗊Презентация Жартылай өткізгішті фотодиодтар

Категория: Физика
Нажмите для полного просмотра!
Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №1Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №2Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №3Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №4Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №5Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №6Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №7Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №8Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №9Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №10

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Жартылай өткізгішті фотодиодтар. Доклад-сообщение содержит 10 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





   Жартылай өткізгішті фотодиодтар
Описание слайда:
Жартылай өткізгішті фотодиодтар

Слайд 2






Фотодиод — жұмыс істеу қағидасы ішкі фотоэффектіге негізделген, р-п өткелінен тұратын және екі шықпасы бар фотоэлемент. 
Описание слайда:
Фотодиод — жұмыс істеу қағидасы ішкі фотоэффектіге негізделген, р-п өткелінен тұратын және екі шықпасы бар фотоэлемент. 

Слайд 3


Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №4
Описание слайда:

Слайд 5


Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6





Существуют разновидности фотодиодов, обладающих дополнительными преимуществами для ряда областей применения. Так называемый p—i—n-фо­тодиод (рис.5.11) содержит между областями р- и n-типа широкую высокоомную зону с собственной проводимостью, в которой под действием падающего излучения гене­рируются электронно-дырочные пары. Электрическое поле, возникшее в этой зоне под действием запираю­щего напряжения, практически постоянно, а в объеме этой зоны отсутствует пространственный заряд.
Описание слайда:
Существуют разновидности фотодиодов, обладающих дополнительными преимуществами для ряда областей применения. Так называемый p—i—n-фо­тодиод (рис.5.11) содержит между областями р- и n-типа широкую высокоомную зону с собственной проводимостью, в которой под действием падающего излучения гене­рируются электронно-дырочные пары. Электрическое поле, возникшее в этой зоне под действием запираю­щего напряжения, практически постоянно, а в объеме этой зоны отсутствует пространственный заряд.

Слайд 7


Жартылай өткізгішті фотодиодтар, слайд №7
Описание слайда:

Слайд 8





Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком.
Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком.
Описание слайда:
Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком. Обычно в качестве фотодиода используют полупроводниковые диоды с р-п переходом, который смещен в обратном направлении внешним источником питания. При поглощении квантов света в р-n переходе или в прилегающих к нему областях образуются новые носители заряда. Неосновные носители заряда, возникшие в областях, прилегающих к р-п переходу на расстоянии, не превь,’ ,ающем диффузионной длины, диффундируют в р-п переход и проходя* через него под действием электрического поля. То есть обратный ток при освещении возрастает. Поглощение квантов непосредственно в р-п переходе приводит к аналогичным результатам. Величина, на которую возрастает обратный ток, называется фототоком.

Слайд 9





 Вольт-амперлік сипаттамасы
Описание слайда:
Вольт-амперлік сипаттамасы

Слайд 10






Қолданылуы
Описание слайда:
Қолданылуы



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию