🗊Презентация Электроника, как область науки и техники

При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов.

. .

Светодиод (СИД) — это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. Его принцип работы основан на явлении электролюминесценции - холодного свечения возникающего при протекании тока. Светодиод (СИД) — это полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток непосредственно в световое излучение. Его принцип работы основан на явлении электролюминесценции - холодного свечения возникающего при протекании тока. Состав материалов, образующих p-n переход определяет тип излучения.

1 июля 1948 г. в подвале газеты «Нью-Йорк Таймс» появилась короткая заметка под заголовком «Создание транзистора». В ней сообщалось об изобретении «электронного прибора, способного заменить в радиотехнике обычные электровакуумные лампы». 1 июля 1948 г. в подвале газеты «Нью-Йорк Таймс» появилась короткая заметка под заголовком «Создание транзистора». В ней сообщалось об изобретении «электронного прибора, способного заменить в радиотехнике обычные электровакуумные лампы». Ламповая усилительная техника стала развиваться в результате появления в 1904г. вакуумного диода, изобретенного американским инженером Флемингом, и в особенности после изобретения Ли де Форестом в 1907г. вакуумного триода.

Полевым транзистором называют электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и истоком. Полевым транзистором называют электропреобразовательный прибор, в котором ток канала управляется электрическим полем, возникающим с приложением напряжения между затвором и истоком. Транзистор предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Тиристор – п/п прибор с тремя и более р-n переходами, вольт-амперная характеристика (ВАХ)которого имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Предельно допустимый анодный ток в открытом состоянии тиристора Iпр.max Предельно допустимый анодный ток в открытом состоянии тиристора Iпр.max Предельно допустимое обратное напряжение Uобр.max Предельно допустимое прямое напряжение в закрытом состоянии тиристора Uпр.max ток удержания Iуд допустимая частота переключений — до 2000 Гц.