Гетеропереходы. Особенности гетероперехода - презентация, доклад, проект скачать

Нажмите для полного просмотра!

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №1

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №2

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №3

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №4

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №5

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №6

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №7

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №8

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №9

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №10

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №11

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №12

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №13

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №14

Гетеропереходы. Особенности гетероперехода, слайд №15

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Гетеропереходы. Особенности гетероперехода. Доклад-сообщение содержит 15 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ

Слайд 2

Описание слайда:

ПОНЯТИЕ О ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ Гетеропереход образуется при контакте двух полупроводниковых кристаллов, имеющих: разную ширину запрещенной зоны – Eg одинаковую кристаллическую структуру равные постоянные кристаллической решетки Так, например, постоянные решеток и Eg арсенида алюминия и арсенида галлия составляют: AlAs a = 5.659 Å Eg = 2.16 эВ GaAs a = 5.653 Å Eg = 1.43 эВ

Слайд 3

Описание слайда:

ЗОННАЯ ДИАГРАММА ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Особенность данной диаграммы состоит в наличии скачков ΔЕс, ΔEv

Слайд 4

Описание слайда:

ОСОБЕННОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДА Наличие скачков определяет две принципиальные особенности гетероперехода. Явление сверхинжекции. Образование двумерного электронного газа.

Слайд 5

Описание слайда:

ЯВЛЕНИЕ СВЕРХИНЖЕКЦИИ

Слайд 6

Описание слайда:

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СВЕРХИНЖЕКЦИИ Пример: За счет сверхинжекции концентрация электронов np может превышать концентрацию легирующих примесей в n-полупроводнике. Оценим это превышение для случая ΔEc=0.1 эВ. Тогда учитывая, что kT=0.025 эВ найдем отношение np – кол-во свободных эл-ов в p обл. Nд – кол-во свободных эл-ов в n обл. которое равно e4=55. Явление сверхиенжекции используют в биполярных транзисторах с гетеропереходом.

Слайд 7

Описание слайда:

ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ

Слайд 8

Описание слайда:

ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ Поведение носителей заряда, движение которых ограниченно потенциальными барьерами на двух параллельных плоскостях, отличаются от поведения носителей заряда в трехмерном кристалле (3D-газ). Важной особенностью 2D-газа является бо́льшая подвижность носителей заряда, чем подвижность в 3D-газе.

Слайд 9

Описание слайда:

СТРУКТУРА СЛОЯ С ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ

Слайд 10

Описание слайда:

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СЛОЯ «СПЕЙСЕР» Слой с d*=2-2.5 нм называют «спейсер» – разделитель. Этот слой имеет низкий уровень легирования и создается для того, чтобы электроны в 2D-газе не испытывали взаимодействия с заряженными примесями. Введение этого слоя позволяет увеличить подвижность электронов. Двумерный электронный газ используется в транзисторах с высокой подвижностью электронов.

Слайд 11

Описание слайда:

ТРАНЗИСТОРЫ НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ В настоящее время все большее признание получают транзисторы на гетероструктурах типа биполярных транзисторов с гетеропереходами (HBT) и транзисторах с высокой подвижностью электронов (HEMT) . HBT-heterojunction bipolar transistor HEMT-high electron mobility transistor Они являются более эффективными и высокочастотными, но являются технологически более сложными и дорогостоящими структурами.

Слайд 12

Описание слайда:

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ (HBT) Для повышения эффективности эмиттерного перехода в транзисторе используется широкозонный эмиттер, который имеет бо́льшую ширину запрещенной зоны, чем базовая область. HBT использует явление сверхинжекции. Следовательно, увеличивается эффективность эмиттера, то есть γгбт = γeΔEc/KT где γ эффективность эмиттера транзистора с гомопереходом;

Слайд 13

Описание слайда:

СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ (HBT)

Слайд 14

Описание слайда:

СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ (HEMT)

Слайд 15

Описание слайда:

ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ HEMT ТРАНЗИСТОРА Транзистор состоит из нескольких слоев. На подложке из GaAs образован нелегированный слой полупроводника GaAs (канал узкозонного полупроводника), который на границе с широкозонным легированным полупроводником n+AlGaAs образует гетеропереход. Таким образом, в канале у границы слоев с разной шириной запрещенной зоны образуется потенциальная яма – тонкий слой с двумерным электронным газом. Между нелегированным слоем GaAs и легированным полупроводником n+AlGaAs расположен тонкий слой (спейсер) нелегированного полупроводника AlGaAs