🗊 Презентация Наноимпринт литография

Категория: Образование
Нажмите для полного просмотра!
Наноимпринт литография, слайд №1 Наноимпринт литография, слайд №2 Наноимпринт литография, слайд №3 Наноимпринт литография, слайд №4 Наноимпринт литография, слайд №5 Наноимпринт литография, слайд №6 Наноимпринт литография, слайд №7 Наноимпринт литография, слайд №8 Наноимпринт литография, слайд №9 Наноимпринт литография, слайд №10 Наноимпринт литография, слайд №11 Наноимпринт литография, слайд №12 Наноимпринт литография, слайд №13 Наноимпринт литография, слайд №14 Наноимпринт литография, слайд №15 Наноимпринт литография, слайд №16 Наноимпринт литография, слайд №17 Наноимпринт литография, слайд №18 Наноимпринт литография, слайд №19 Наноимпринт литография, слайд №20 Наноимпринт литография, слайд №21 Наноимпринт литография, слайд №22 Наноимпринт литография, слайд №23 Наноимпринт литография, слайд №24 Наноимпринт литография, слайд №25 Наноимпринт литография, слайд №26 Наноимпринт литография, слайд №27 Наноимпринт литография, слайд №28 Наноимпринт литография, слайд №29 Наноимпринт литография, слайд №30 Наноимпринт литография, слайд №31 Наноимпринт литография, слайд №32 Наноимпринт литография, слайд №33 Наноимпринт литография, слайд №34 Наноимпринт литография, слайд №35 Наноимпринт литография, слайд №36 Наноимпринт литография, слайд №37 Наноимпринт литография, слайд №38 Наноимпринт литография, слайд №39 Наноимпринт литография, слайд №40 Наноимпринт литография, слайд №41 Наноимпринт литография, слайд №42 Наноимпринт литография, слайд №43 Наноимпринт литография, слайд №44 Наноимпринт литография, слайд №45 Наноимпринт литография, слайд №46 Наноимпринт литография, слайд №47 Наноимпринт литография, слайд №48 Наноимпринт литография, слайд №49 Наноимпринт литография, слайд №50 Наноимпринт литография, слайд №51 Наноимпринт литография, слайд №52 Наноимпринт литография, слайд №53 Наноимпринт литография, слайд №54 Наноимпринт литография, слайд №55
Скачать

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Наноимпринт литография. Доклад-сообщение содержит 55 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1


Обзор S-FIL нано-импринт литографии и последние результаты для CMOS и других нано- приложений Нияз Хуснатдинов Molecular Imprints, Inc.
Описание слайда:
Обзор S-FIL нано-импринт литографии и последние результаты для CMOS и других нано- приложений Нияз Хуснатдинов Molecular Imprints, Inc.

Слайд 2


План доклада Введение Принцип S-FIL литографии Описание технологии и последние достижения в производстве штампов Imprio I-250, характеристики на...
Описание слайда:
План доклада Введение Принцип S-FIL литографии Описание технологии и последние достижения в производстве штампов Imprio I-250, характеристики на сегодняшний день и перспективы развития. Точность совмещения штампа и подложки Количество дефектов Производительность Краткое сравнение планов развития ИМ и технологий хранения памяти Планы развития S-FIL литографии Различные приложения S-FIL литографии Заключение

Слайд 3


Наноимпринт литография, слайд №3
Описание слайда:

Слайд 4


Продолжение введения. В ХХ веке широкое распостранение получило печатание грампластинок В 1994 году Стив Чу продемонстрировал возможность...
Описание слайда:
Продолжение введения. В ХХ веке широкое распостранение получило печатание грампластинок В 1994 году Стив Чу продемонстрировал возможность использования импринт литографии для получения нано-структур

Слайд 5


Наноимпринт литография, слайд №5
Описание слайда:

Слайд 6


Примеры импринт литографии John A. Rogers, University of Illinois, Urbana-Champaing, Печатание с помощью штампа сделанного из углеродной нанотрубки...
Описание слайда:
Примеры импринт литографии John A. Rogers, University of Illinois, Urbana-Champaing, Печатание с помощью штампа сделанного из углеродной нанотрубки достигло разрешения 2.4 нм. При этом использовался полимер затвердевающий под воздействием ультрафиолета

Слайд 7


MII: Step & Flash™ Импринт Литография (S-FIL)
Описание слайда:
MII: Step & Flash™ Импринт Литография (S-FIL)

Слайд 8


Динамика и однородность напечатанного слоя
Описание слайда:
Динамика и однородность напечатанного слоя

Слайд 9


S-FIL и S-FIL/R процессы
Описание слайда:
S-FIL и S-FIL/R процессы

Слайд 10


Гибкая печать на сапфире, 100 мм
Описание слайда:
Гибкая печать на сапфире, 100 мм

Слайд 11


Гибкая печать на сапфире, 100 мм
Описание слайда:
Гибкая печать на сапфире, 100 мм

Слайд 12


S-FIL Импринт Литография
Описание слайда:
S-FIL Импринт Литография

Слайд 13


Производство нано-штампа. Стардатный процесс.
Описание слайда:
Производство нано-штампа. Стардатный процесс.

Слайд 14


Развитие процесса с использованием положительного резиста ZEP520 Ширина линий в зависимости от дозы экспозиции при различных диаметрах электронного...
Описание слайда:
Развитие процесса с использованием положительного резиста ZEP520 Ширина линий в зависимости от дозы экспозиции при различных диаметрах электронного пучка

Слайд 15


ZEP520A: Bias = -18nm, Штамп
Описание слайда:
ZEP520A: Bias = -18nm, Штамп

Слайд 16


Отпечатки: -18nm Bias, 28 – 40 nm HP
Описание слайда:
Отпечатки: -18nm Bias, 28 – 40 nm HP

Слайд 17


Профиль отпечатков: Bias = -18 nm
Описание слайда:
Профиль отпечатков: Bias = -18 nm

Слайд 18


28 and 32 nm HP: малая чуствительность к изменению полученной дозы
Описание слайда:
28 and 32 nm HP: малая чуствительность к изменению полученной дозы

Слайд 19


36 nm Half Pitch: No Bias – Очень чуствительна к изменению дозы
Описание слайда:
36 nm Half Pitch: No Bias – Очень чуствительна к изменению дозы

Слайд 20


DNP нано-штамп написанный с помощью Гауссова пучка
Описание слайда:
DNP нано-штамп написанный с помощью Гауссова пучка

Слайд 21


Hoya нано-штамп для памяти с 30 нм Fins
Описание слайда:
Hoya нано-штамп для памяти с 30 нм Fins

Слайд 22


Производство нано-штампа. Путь к меньшим размерам. Стандартный подход
Описание слайда:
Производство нано-штампа. Путь к меньшим размерам. Стандартный подход

Слайд 23


Штамп: 25 нм полупериод
Описание слайда:
Штамп: 25 нм полупериод

Слайд 24


Штампы: полупериоды 19 нм и 21 нм
Описание слайда:
Штампы: полупериоды 19 нм и 21 нм

Слайд 25


Полученные отпечатки со штампами 23 нм and 21 нм (полупериод)
Описание слайда:
Полученные отпечатки со штампами 23 нм and 21 нм (полупериод)

Слайд 26


Штамп после удаления хрома, Cr (Lift-off): Полупериоды 17 нм и 15 нм
Описание слайда:
Штамп после удаления хрома, Cr (Lift-off): Полупериоды 17 нм и 15 нм

Слайд 27


Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 15 нм
Описание слайда:
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 15 нм

Слайд 28


Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 12.5 нм
Описание слайда:
Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 12.5 нм

Слайд 29


Достигнутое пространственное разрешение уже достаточно для проведения исследований
Описание слайда:
Достигнутое пространственное разрешение уже достаточно для проведения исследований

Слайд 30


Инспектирование и ремонт нано-штампа 1x template inspection/repair builds on wafer inspection technology Two technologies being used to detect down...
Описание слайда:
Инспектирование и ремонт нано-штампа 1x template inspection/repair builds on wafer inspection technology Two technologies being used to detect down to 20nm defects Die to die ebeam inspection (KLA ES32) Die to database inspection NGR – 2100

Слайд 31


Время написания нано-штампа является важным фактором Время написания фото-масок существенно увеличилось! Для фото-маски с 65 нм структурами это может...
Описание слайда:
Время написания нано-штампа является важным фактором Время написания фото-масок существенно увеличилось! Для фото-маски с 65 нм структурами это может занять 24 часа даже с быстрыми резистами Преимущества написания штампов Нет оптической коррекции Меньшие размеры Размеры 1:1 позволяют делать репликацию

Слайд 32


Сравнение исходного штампа и его реплики
Описание слайда:
Сравнение исходного штампа и его реплики

Слайд 33


Требования к установкам импринт литографии для CMOS приложений Высокая точность совмещения рисунка с предыдущим слоем Малый уровень дефектов Высокая...
Описание слайда:
Требования к установкам импринт литографии для CMOS приложений Высокая точность совмещения рисунка с предыдущим слоем Малый уровень дефектов Высокая производительность

Слайд 34


Imprio - 250 Установка предназначена для CMOS приложений На ней можно получать структуры менее 20 нм с соответствующим совмещением рисунков Жесткий...
Описание слайда:
Imprio - 250 Установка предназначена для CMOS приложений На ней можно получать структуры менее 20 нм с соответствующим совмещением рисунков Жесткий контроль за совмещением и размерами штампа Установка полностью автоматизирована для 200 / 300 мм-х пластин

Слайд 35


Точность совмещения слоев (Overlay) Требуемая точность 20-25% от минимального размера. К примеру для полупериода 22 nm точность должна быть ~ 5 nm...
Описание слайда:
Точность совмещения слоев (Overlay) Требуемая точность 20-25% от минимального размера. К примеру для полупериода 22 nm точность должна быть ~ 5 nm Факторы, влияющие на точность Аккуратность механического совмещения штампа с нижним рисунком Увеличение/уменьшение размера штампа Точность рисунка на штампе Условия в которых находится установка – позиционная стабильность, контроль температуры и т.д. Molecular imprints использует стратегию совмещения рисунка и штампа в каждом индивидуальном поле Все эксперименты проведены в тандеме с 193 наномертовыми сканерами (mix and match mode), которые использовались для нанесения рисунка на нулевом слое (подложке)

Слайд 36


Совмещение рисунка во время печати Совмещение измеряется с помощью растровых решеток (moiré) как на штампе, так и на подложке . Изначально эта...
Описание слайда:
Совмещение рисунка во время печати Совмещение измеряется с помощью растровых решеток (moiré) как на штампе, так и на подложке . Изначально эта техника была развита для рентгеновской электронной литографии.

Слайд 37


Растровые решетки муара
Описание слайда:
Растровые решетки муара

Слайд 38


Результаты по точности совмещения слоев Точность совмещения была продемонстрирована с двумя типами 193 нм сканерами Точность совмещения была измерена...
Описание слайда:
Результаты по точности совмещения слоев Точность совмещения была продемонстрирована с двумя типами 193 нм сканерами Точность совмещения была измерена на стандартной KT установке. 32 поля на пластине, 81 точек измерений в каждом поле Достигнута точность 20 nm, 3

Слайд 39


Последовательное уменьшение количества дефектов Данные включают все типы дефектов Наблюдается постепенное улучшение – приблизительно один порядок в...
Описание слайда:
Последовательное уменьшение количества дефектов Данные включают все типы дефектов Наблюдается постепенное улучшение – приблизительно один порядок в год

Слайд 40


Зависимость количества S-FIL дефектов от размеров
Описание слайда:
Зависимость количества S-FIL дефектов от размеров

Слайд 41


Устойчивость процесса к посторонним частицам. Самоочистка при последующем печатании.
Описание слайда:
Устойчивость процесса к посторонним частицам. Самоочистка при последующем печатании.

Слайд 42


Производительность Imprio-250 Сравнительно малая стоимость печатных головок позволяет установить несколько таких головок для увеличения...
Описание слайда:
Производительность Imprio-250 Сравнительно малая стоимость печатных головок позволяет установить несколько таких головок для увеличения производительности.

Слайд 43


Сравнение планов для интегальных микросхем (ITRS) и для хранения информации (Information Storage)
Описание слайда:
Сравнение планов для интегальных микросхем (ITRS) и для хранения информации (Information Storage)

Слайд 44


План развития на ближайшие годы Производство структур с полупериодом 32 нм планируется на 2010 год. Этот срок определен планом развития элементов...
Описание слайда:
План развития на ближайшие годы Производство структур с полупериодом 32 нм планируется на 2010 год. Этот срок определен планом развития элементов памяти

Слайд 45


Приложения в CMOS индустрии Производство структур с полупериодом 32 нм начнется около 2010 года, что определяется развитием элементов памяти
Описание слайда:
Приложения в CMOS индустрии Производство структур с полупериодом 32 нм начнется около 2010 года, что определяется развитием элементов памяти

Слайд 46


IBM Almaden Research Center 30 нм “Storage-Class” сверхплотная постоянная память
Описание слайда:
IBM Almaden Research Center 30 нм “Storage-Class” сверхплотная постоянная память

Слайд 47


Наноимпринт литография, слайд №47
Описание слайда:

Слайд 48


Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью...
Описание слайда:
Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью SFIL процесс интегрирован с 7 другими литографическими процессами (3-мя при 193 нм, 4-мя при 248 нм). «Mix and match» совмещение рисунка лучше 20 нм

Слайд 49


Потенциал для 3-х мерной печати
Описание слайда:
Потенциал для 3-х мерной печати

Слайд 50


Потенциал для 3-х мерной печати
Описание слайда:
Потенциал для 3-х мерной печати

Слайд 51


Применение к фотонным кристаллам
Описание слайда:
Применение к фотонным кристаллам

Слайд 52


Заключение. Почему именно импринт литография? Позволяет уже сегодня достичь уровня литографии менее 32 нм с маленькой шероховатостью линий (LER)...
Описание слайда:
Заключение. Почему именно импринт литография? Позволяет уже сегодня достичь уровня литографии менее 32 нм с маленькой шероховатостью линий (LER) Совместима с CMOS технологией Буквальная замена оптической литографии без изменения процессов до и после этого этапа Низкая себестоимость Репликация Не нужно применять оптическую коррекцию и нет ограничений на моделирование рисунка Возможность нанесения бинарного рисунка для носителей на дисках Возможность печатания 3-х мерного профиля Применение к фотонным кристаллам для ультра-ярких фотодиодов (LED) Приложения к другим секторам индустрии

Слайд 53


Наноимпринт литография, слайд №53
Описание слайда:

Слайд 54


В 2006 году обе технологии EUV и S-FIL импринт начали продажи установок для CMOS!
Описание слайда:
В 2006 году обе технологии EUV и S-FIL импринт начали продажи установок для CMOS!

Слайд 55


MOLECULAR IMPRINTS, INC.
Описание слайда:
MOLECULAR IMPRINTS, INC.

Скачать

Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию