🗊Презентация Субмикронная литография

Субмикронная литография

Тенденции развития: уменьшение размера элемента (топологической нормы) Топологическая норма - полуширина линии и пространства между линиями в регулярных плотно упакованных полосчатых структурах. Разрешение для изолированных элементов, например затворов транзисторов, может быть в 1,4–1,8 раз меньше топологической нормы.

Тенденции развития: увеличение степени интеграции

Проекционная литография

Параметр k1

Фазосдвигающий шаблон

Принцип действия фазосдвигающего шаблона

Коррекция эффекта близости

Длина волны экспонирующего излучения

Длина волны освещения и топологическая норма

Иммерсионная литография: увеличение числовой апертуры (NA) NA = n sinθ, где n – коэффициент преломления среды между линзой и фоторезистивной маской (для воздуха n = 1), θ – наибольший угол сбора лучей с поверхности резиста и определяется размером линзы. NA выросла за счёт разработки новых линз от 0.5 (1990 г.) до 0.8 (2004 г.) и предполагается её рост до 1 и более в будущем. На пути совершенствования линз есть большие сложности (вес проекционных линз, уменьшающих рисунок шаблона, составляет более 1000 кг). Более простой путь – это увеличение n за счёт замены воздуха на жидкую среду с большим n, например, на DI воду (n = 1.43662 на = 193 нм и 21.5 С, рост NA на 44%). Это иммерсионная литография, первые установки будут использованы в промышленности в 2007 году.

Установка иммерсионной литографии

Экстремальная ультрафиолетовая литография

Источник импульсной лазерной плазмы

Импринтинг

Импринтинг: S-FIL технология

Импринтинг: технология

Обращенный импринтинг (S-FIL/R process)

Преимущества импринтинга

Применение наноимпринтинга

Импринтинг по планаризированному рельефу