Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения

Нажмите для полного просмотра!

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №2

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №3

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №4

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №5

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №6

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №7

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №8

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №9

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №10

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №11

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №12

Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения, слайд №13

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Транзисторы. Принцип действия, классификация, области применения. Доклад-сообщение содержит 13 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ТРАНЗИСТОРЫ Принцип действия, классификация, области применения

Слайд 2

Описание слайда:

Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзи́стор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзисторы по структуре, принципу действия и параметрам делятся на два класса — биполярные и полевые (униполярные). В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и выходного токов. В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора, управление осуществляется изменением напряжения между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током.

Слайд 3

Описание слайда:

Биполярные транзисторы Трехслойная полупроводниковая структура, состоящая из двух слоев полупроводника с одинаковым типом проводимости, разделенных тонким слоем полупроводника с другим типом проводимости, называется биполярным транзистором.

Слайд 4

Описание слайда:

n(+) – повышенная концентрация носителей => сильное легирование эмиттера n(+) – повышенная концентрация носителей => сильное легирование эмиттера Транзисторы n-p-n типа распространены Существенно больше. Инжектируемыми носителями в этом случае являются электроны, подвижность которых в несколько выше, чем у дырок, что обусловливает большее быстродействие.

Слайд 5

Описание слайда:

Принцип работы биполярного транзистора

Слайд 6

Описание слайда:

Виды биполярных транзисторов

Слайд 7

Описание слайда:

Режимы работы и схемы включения БП транзисторов Каждый из p-n переходов может быть включен как в прямом, так и в обратном направлении. В связи с этим различают три режима работы.

Слайд 8

Описание слайда:

Режим насыщения Режим насыщения Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб. В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнется проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера (IЭ.нас) и коллектора (IК.нас). Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ.нас) - это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог RСИ.отк у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ.нас) - это падение напряжение между базой и эмиттером на открытом транзисторе. Режим отсечки В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В). Режим отсечки соответствует условию UЭБ

Слайд 9

Описание слайда:

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями: Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх. Входное сопротивление Rвх = Uвх/Iвх. Схема включения с общей базой

Слайд 10

Описание слайда:

Слайд 11

Описание слайда:

Слайд 12

Описание слайда:

Полевые транзисторы Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током. Электрическое поле создается напряжением, приложенным к затвору относительно истока. Полярность управляющего напряжения зависит от типа канала транзистора. В полевых транзисторах в зависимости от типа канала ток осуществляется только одним типом носителей дырками или электронами. В биполярных транзисторах ток формировался из двух типов носителей зарядов – электронов и дырок, независимо от типа приборов. Полевые транзисторы в общем случае можно разделить на: транзисторы с управляющим p-n-переходом; транзисторы с изолированным затвором. И те и другие могут быть n-канальными и p-канальными, к затвору первых нужно прикладывать положительное управляющее напряжение для открытия ключа, а для вторых – отрицательное относительно истока. У всех типов полевых транзисторов есть три вывода: Исток (источник носителей заряда, аналог эмиттера на биполярном). Сток (приемник носителей заряда от истока, аналог коллектора биполярного транзистора). Затвор (управляющий электрод, аналог сетки на лампах и базы на биполярных транзисторах).