🗊 Презентация Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение

Категория: Химия
Нажмите для полного просмотра!
Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №1 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №2 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №3 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №4 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №5 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №6 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №7 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №8 Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №9

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение. Доклад-сообщение содержит 9 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1


Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение. Студент: Фолимонова М.В.
Описание слайда:
Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение. Студент: Фолимонова М.В.

Слайд 2


Антимонид индия Антимонид индия (InSb) – хорошо изученный узкозонный прямозонный полупроводник типа AIIIB V , имеет вид темно-серого серебристого...
Описание слайда:
Антимонид индия Антимонид индия (InSb) – хорошо изученный узкозонный прямозонный полупроводник типа AIIIB V , имеет вид темно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском. Когда подвергается воздействию температур свыше 500 °C, он начинает плавиться и разлагаться на составные части, освобождая сурьму и пары, состоящие из окислов сурьмы.

Слайд 3


Свойства Температура плавления – 525˚ C Ширина запрещённой зоны – 0,18 эВ Подвижность электронов – 7,8 м²/(В·с) Подвижность дырок – 0,075 м²/(В·с)...
Описание слайда:
Свойства Температура плавления – 525˚ C Ширина запрещённой зоны – 0,18 эВ Подвижность электронов – 7,8 м²/(В·с) Подвижность дырок – 0,075 м²/(В·с) Давление паров сурьмы при Tпл. – 10-3 мм. рт. ст. Длинна свободного пробега – 0,7 мкм

Слайд 4


Методы выращивания InSb Получают индия антимонид сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной...
Описание слайда:
Методы выращивания InSb Получают индия антимонид сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2.

Слайд 5


Метод Чохральского
Описание слайда:
Метод Чохральского

Слайд 6


Эпитаксия
Описание слайда:
Эпитаксия

Слайд 7


Применение Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми, диоды из антимонида индия обладают лучшими...
Описание слайда:
Применение Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми, диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.

Слайд 8


Спасибо за внимание
Описание слайда:
Спасибо за внимание

Слайд 9


Бестигельная зонная плавка
Описание слайда:
Бестигельная зонная плавка



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию