🗊Презентация Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение

Категория: Химия
Нажмите для полного просмотра!
Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №1Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №2Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №3Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №4Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №5Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №6Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №7Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №8Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение, слайд №9

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение. Доклад-сообщение содержит 9 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации


Слайд 1





Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение.
Студент: Фолимонова М.В.
Описание слайда:
Монокристаллы InSb. Свойства, выращивание, применение. Студент: Фолимонова М.В.

Слайд 2





Антимонид индия
Антимонид индия (InSb) – хорошо изученный узкозонный прямозонный полупроводник типа AIIIB V ,  имеет вид темно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском. Когда подвергается воздействию температур свыше 500 °C, он начинает плавиться и разлагаться на составные части, освобождая сурьму и пары, состоящие из окислов сурьмы.
Описание слайда:
Антимонид индия Антимонид индия (InSb) – хорошо изученный узкозонный прямозонный полупроводник типа AIIIB V , имеет вид темно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском. Когда подвергается воздействию температур свыше 500 °C, он начинает плавиться и разлагаться на составные части, освобождая сурьму и пары, состоящие из окислов сурьмы.

Слайд 3





Свойства 
Температура плавления – 525˚ C
Ширина запрещённой зоны – 0,18 эВ
Подвижность электронов – 7,8 м²/(В·с)
Подвижность дырок – 0,075 м²/(В·с)
Давление паров сурьмы при Tпл. – 10-3 мм. рт. ст.
Длинна свободного пробега – 0,7 мкм
Описание слайда:
Свойства Температура плавления – 525˚ C Ширина запрещённой зоны – 0,18 эВ Подвижность электронов – 7,8 м²/(В·с) Подвижность дырок – 0,075 м²/(В·с) Давление паров сурьмы при Tпл. – 10-3 мм. рт. ст. Длинна свободного пробега – 0,7 мкм

Слайд 4





Методы выращивания InSb
 Получают индия антимонид сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2. 
Описание слайда:
Методы выращивания InSb  Получают индия антимонид сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н2. 

Слайд 5





Метод Чохральского
Описание слайда:
Метод Чохральского

Слайд 6





Эпитаксия
Описание слайда:
Эпитаксия

Слайд 7





Применение
Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми, диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.
Описание слайда:
Применение Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми, диоды из антимонида индия обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.

Слайд 8






Спасибо за внимание
Описание слайда:
Спасибо за внимание

Слайд 9





Бестигельная зонная плавка
Описание слайда:
Бестигельная зонная плавка



Похожие презентации
Mypresentation.ru
Загрузить презентацию