Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу

Нажмите для полного просмотра!

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №2

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №3

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №4

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №5

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №6

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №7

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №8

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №9

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №10

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №11

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №12

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №13

Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу, слайд №14

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Гетероперехід. Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу. Доклад-сообщение содержит 14 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

ОСНОВИ МІКРО- і НАНОЕЛЕКТРОНІКИ Лекція 05 Гетеропереходи Анатолій Євтух Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка

Слайд 2

Описание слайда:

Гетероперехід Гетероперехід – перехід утворений між двома різними напівпровідниками. Якщо напівпровідники мають однаковий тип провідності – ізотипний гетероперехід. Якщо напівпровідники мають різний тип провідності – анізотипний гетероперехід. Ідеальний різкий гетероперехід без пасток на границі розділу (Андерсон).

Слайд 3

Описание слайда:

Рівноважні діаграми енергетичних зон до (а) і після (б) утворення різкого p-n гетеропереходу. Рівноважні діаграми енергетичних зон до (а) і після (б) утворення різкого p-n гетеропереходу.

Слайд 4

Описание слайда:

Ширина збідненого шару в кожному напівпровіднику і бар’єрна ємність знаходиться з рішення рівняння Пуасона для різкого переходу з кожної сторони границі розділу. Ширина збідненого шару в кожному напівпровіднику і бар’єрна ємність знаходиться з рішення рівняння Пуасона для різкого переходу з кожної сторони границі розділу. Одна з граничних умов – неперервність електричної індукції на границі розділу

Слайд 5

Описание слайда:

ВАХ гетеропереходів Дифузійна модель Андерсона Струм термоелектронної емісії.

Слайд 6

Описание слайда:

Діаграма енергетичних зон різкого p-n гетеропереходу при прямому зміщенні (пунктирні лінії); неперервні лінії відповідають нульовому зміщенню. Діаграма енергетичних зон різкого p-n гетеропереходу при прямому зміщенні (пунктирні лінії); неперервні лінії відповідають нульовому зміщенню.

Слайд 7

Описание слайда:

Емісійна модель різкого p-n гетеропереходу Переніс заряду здійснюється в основному електронами, при розрахунку ВАХ враховуються накоплення неосновних носіїв заряду на краях збідненої області і вплив потенціального барєру (у виді “пічка” на n- стороні гетеропереходу ) на проходження струму.

Слайд 8

Описание слайда:

Емісійно-рекомбінаційна модель p-n гетеропереходу Допускається, що на границі розділу знаходиться тонкий шар дефектної кристалічної гратки з великою швидкістю рекомбінації, а носії заряду досягають границі розділу за допомогою термічної емісії через відповідні бар’єри.

Слайд 9

Описание слайда:

Тунельна модель різкого p-n гетеропереходу Потенціальний барєр у виді пічка в широкозонному напівпровіднику n типу електрони можуть подолати або термічною емісією через бар’єр, або тунелюванням крізь нього.

Слайд 10

Описание слайда:

Тунельно-рекомбінаційна модель різкого p-n гетеропереходу Допускається, що відбувається тунелювання електронів із зони провідності широкозонного напівпровідника на незайняті локальні центри в забороненій зоні вузькозонного матеріалу p- типу з наступною рекомбінацією з діркою. Можливі і ступінчаті тунельно-рекомбінаційні процеси.

Слайд 11

Описание слайда:

Різкі ізотипні гетеропереходи В ізотипних гетеропереходах типу n-n і p-p вклад неосновних носіїв заряду в електричний струм знехтувано малий. Ізотипні гетеропереходи відносяться до пристроїв з основними носіями заряду.