Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло

Нажмите для полного просмотра!

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №2

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №3

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №4

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №5

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №6

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №7

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №8

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №9

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №10

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №11

Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло, слайд №12

Содержание ▲

Вы можете ознакомиться и скачать презентацию на тему Моделирование электрофизических свойств gaas методом монте-карло. Доклад-сообщение содержит 12 слайдов. Презентации для любого класса можно скачать бесплатно. Если материал и наш сайт презентаций Mypresentation Вам понравились – поделитесь им с друзьями с помощью социальных кнопок и добавьте в закладки в своем браузере.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1

Описание слайда:

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ GaAs МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО Дипломная работа студентки 5-го курса Лаппо Евгении Васильевны Научный руководитель: Борздов Владимир Михайлович, профессор кафедры физической электроники и нанотехнологий

Слайд 2

Описание слайда:

Структура Цели и задачи Механизмы рассеяния носителей заряда Алгоритм Монте-Карло Результаты эксперимента Выводы

Слайд 3

Описание слайда:

Цель работы: разработать численную модель переноса электронов в GaAs на основе одночастичного метода Монте-Карло и рассчитать дрейфовую скорость и подвижность при температурах 300 K и 77 К, а также оценить время установления их стационарного значения. Задачи: - сделан обзор литературы; - на основе одночастичного метода Монте-Карло построена численная модель переноса электронов в GaAs; - разработаны соответствующий алгоритм и программа ; - проведен вычислительный эксперимент при различных температурах и напряженностях.

Слайд 4

Описание слайда:

Полярное оптическое рассеяние

Слайд 5

Описание слайда:

Рассеяние на акустических фононах

Слайд 6

Описание слайда:

Рассеяние на примесях

Слайд 7

Описание слайда:

Блок-схема алгоритма

Слайд 8

Описание слайда:

Расчет дрейфовой скорости Все механизмы рассеяния Без рассеяния на полярных оптических фононах

Слайд 9

Описание слайда:

Расчет дрейфовой скорости Все механизмы рассеяния Без рассеяния на акустических фононах

Слайд 10

Описание слайда:

Расчет дрейфовой скорости В/м

Слайд 11

Описание слайда:

Выводы: построена численная модель переноса электронов в GaAs; разработаны соответствующий алгоритм и программа; показана адекватность разработанной модели; рассчитаны дрейфовая скорость и подвижность для разных температур и напряженностей поля; установлено, что без учета рассеяния на полярных оптических фононах значительно меняются величина и время установления стационарного значения дрейфовой скорости, в то же время, если не учесть рассеяния на акустических фононах, то значение дрейфовой скорости практически не меняется; показано, что при Т=77К и В/м стационарное значение дрейфовой скорости устанавливается при числе соударений ~7000, а при В/м и Т=77К при числе соударений ~ 15000 .